1、近年來直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體ZnO被廣泛研究，較大帶隙(3.37eV)和較高激子復(fù)合能(60meV)使得ZnO成為較為適合做藍、紫外光電設(shè)備的材料之一。其獨特的物理化學(xué)特性，使其在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用潛力，如傳感器，場效應(yīng)管，太陽能電池電極，納米發(fā)電機等。垂直對齊的ZnO納米線陣列，由于其特殊的一維結(jié)構(gòu)和獨特的性能而被廣泛研究。在實際應(yīng)用中，通過控制生長條件來合成形態(tài)和質(zhì)量良好的納米線是提高應(yīng)用器件性能的關(guān)鍵。當ZnO和ZnS結(jié)合為ZnO@Z

2、nS核殼結(jié)構(gòu)的納米線陣列時，ZnS作為功能層處于ZnO核和外界環(huán)境中間，這將極大的改變ZnO核的性能。因此，ZnO@ZnS核殼結(jié)構(gòu)的納米線陣列已經(jīng)被報道對于器件性能的改善有很大的作用，比如，較好的光致發(fā)光，提高染料敏華太陽能電池的效率等。本文的主要工作如下:
　　(1)利用微波輔助水溶液化學(xué)法在FTO玻璃襯底上制備了氧化鋅納米線陣列，通過自制的連續(xù)滴加溶液裝置，實現(xiàn)了在較短時間內(nèi)生長出超長的ZnO納米線陣列。研究表明隨著反應(yīng)時間的

3、增加，ZnO納米線陣列的長度呈線性增加。通過對比不同種類的鋅鹽作為反應(yīng)原料合成的ZnO納米線陣列的形貌和長徑比，發(fā)現(xiàn)采用醋酸鋅作為鋅源所合成的ZnO納米線陣列生長速度較快，底部融合較少。因此醋酸鋅是短時間內(nèi)合成超長的ZnO納米線陣列的理想鋅源。
　　(2)采用醋酸鋅作為鋅源所生長的ZnO納米線陣列結(jié)晶性良好，密度適中。對該納米線陣列進行光催化測試，發(fā)現(xiàn)隨著納米線長度的增加，其對甲基橙染料的降解速率增加。原因可總結(jié)為以下兩點:一、我

4、們所合成的納米線具有獨特的一維結(jié)構(gòu)，為其光生電子的傳輸提供了良好的通道，利于光生電子-空穴的分離，進而提高了樣品的催化效果。
　　二、該ZnO納米線具有較大的比表面積，為其污染物的附著提供了廣闊的面積，從而提高了ZnO納米線的光催化效果。
　　(3)在成功制備了一維ZnO納米線的基礎(chǔ)上，采用氣相硫化法將ZnO表面一層硫化為ZnS，從而得到了ZnO@ZnS核殼結(jié)構(gòu)納米線陣列，該樣品仍然結(jié)晶性良好、排列整齊。通過控制硫化時間的長