1、硅（Silicon,Si）功率器件發(fā)展至今已接近其理論極限，難以滿足開關電源高頻、高效率、高功率密度及高可靠性的需求。低壓增強型氮化鎵(Enhancement Mode Gallium Nitride,eGaN)功率晶體管開關速度快、寄生參數(shù)小、電氣參數(shù)優(yōu)越，因而在高頻、高可靠性應用場合受到廣泛關注。近年來，增強型低壓氮化鎵功率器件在該場合的應用研究成為極有價值的工作。
　　本文首先分析了適用于航空二次電源的正激變換器拓撲，指出采

2、用自諧振復位方式的正激變換器具有優(yōu)越的高頻性能；對高頻工作情況下電路寄生參數(shù)的影響作出了具體分析，提供了自諧振復位正激變換器的設計參考；對于自諧振復位正激變換器的副邊同步整流電路，介紹總結了常見的高頻同步整流電路及其改進方案；然后，比較并設計了適用于氮化鎵晶體管的高頻驅動電路；論文指出了低壓氮化鎵功率晶體管較傳統(tǒng)硅管而言，具有較小的寄生參數(shù)，能夠有效減小電路寄生振蕩，提高電路高頻工作的可靠性，同時有利于減小器件損耗，提高變換器的效率。實