1、相變存儲器（Phase ChangeRandomAccessMemory，PCRAM）作為一種新型的存儲器件，因其優(yōu)異的綜合性能，被認(rèn)為是下一代存儲器中最有望能滿足航天航空和宇航探測性能需求的非易失存儲器之一。為了相變存儲器在航天航空應(yīng)用中的進(jìn)一步發(fā)展，研究X(γ)射線（空間輻照粒子的主要成分之一）對相變存儲單元的輻照過程，分析光子輻照對存儲單元性能的影響，具有重要意義。
　　因此，本文在自下而上型存儲單元三維物理模型的基礎(chǔ)上，構(gòu)

2、建了光子輻照仿真系統(tǒng)，研究了外界X(γ)射線對相變存儲單元性能產(chǎn)生的影響，主要包括以下內(nèi)容：
　　首先，根據(jù)射線在物質(zhì)中的運動規(guī)律與作用機(jī)理，從宏觀上和微觀上分析了光子束垂直進(jìn)入相變存儲單元的物理過程。結(jié)果表明，5kev的光子對相變存儲單元的影響最大，且該能量的光子與相變介質(zhì)主要進(jìn)行光電效應(yīng)，其他的作用方式可以忽略。
　　然后，運用蒙特卡羅方法跟蹤進(jìn)入相變存儲單元的光子，對每一個光子及其次級粒子的碰撞位置、散射方向、能量損失

3、進(jìn)行記錄，構(gòu)建光子輻照仿真模塊；利用有限元法求解電、熱傳導(dǎo)方程，構(gòu)建電、熱仿真模塊以及電阻求解仿真模塊；利用成核-生長理論求解相轉(zhuǎn)變過程，構(gòu)建相仿真模塊。在MATLAB環(huán)境下，將上述五大模塊有效地組合起來實現(xiàn)光子輻照仿真系統(tǒng)，用此系統(tǒng)仿真出外界X(γ)射線光子總注量與靜、動態(tài)相變存儲單元電阻之間的關(guān)系。結(jié)果表明，當(dāng)存儲單元處于靜態(tài)時，低阻態(tài)的存儲單元會在一定注量的外界光子輻照下發(fā)生信息的翻轉(zhuǎn)，高阻態(tài)的存儲單元具有強(qiáng)的抗光子輻照能力；當(dāng)存