1、隨著無(wú)線電技術(shù)水平的不斷提升和射頻集成電路的發(fā)展，相控陣?yán)走_(dá)在諸多方面得到了廣泛應(yīng)用，尤其是在軍事國(guó)防領(lǐng)域。移相器和T/R開(kāi)關(guān)電路作為應(yīng)用于相控陣?yán)走_(dá)T/R模塊的前級(jí)電路，其性能直接影響了整個(gè)T/R模塊的功能實(shí)現(xiàn)。而隨著相控陣?yán)走_(dá)的發(fā)展，同時(shí)覆蓋多個(gè)頻段的寬帶移相器和T/R開(kāi)關(guān)電路對(duì)多標(biāo)準(zhǔn)收發(fā)系統(tǒng)也顯得尤為重要。
　　首先，本文闡述了移相器和T/R開(kāi)關(guān)的理論基礎(chǔ)，介紹了各種常見(jiàn)類型移相器結(jié)構(gòu)，比較了各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)，同時(shí)介紹開(kāi)

2、關(guān)設(shè)計(jì)的電路基礎(chǔ)及設(shè)計(jì)方法。
　　其次，在進(jìn)行電路對(duì)比分析后，本文設(shè)計(jì)了應(yīng)用于相控陣?yán)走_(dá)T/R模塊的覆蓋L/S(1.0～4.0GHz)波段和L/S/C(1.0～8.0GHz)波段的兩種寬帶移相器和T/R開(kāi)關(guān)電路。覆蓋L/S波段的六位數(shù)字移相器和開(kāi)關(guān)電路與覆蓋L/S/C波段的六位數(shù)字移相器和開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)分別采用不同的結(jié)構(gòu)。其中L/S波段移相器采用無(wú)源移相器，基于開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)移相器結(jié)構(gòu)，并設(shè)計(jì)了一個(gè)共源補(bǔ)償放大器來(lái)對(duì)180°大相移電路的插

3、入損耗和相位誤差進(jìn)行微調(diào)。L/S/C波段移相器采用有源矢量合成移相器，包含正交信號(hào)發(fā)生器，增益放大電路和信號(hào)合成器，分別設(shè)計(jì)了各部分電路并對(duì)總體電路進(jìn)行補(bǔ)償優(yōu)化。L/S波段和L/S/C波段的T/R開(kāi)關(guān)電路均基于串并聯(lián)單刀雙擲開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)，分別加入了匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)和可變阻抗設(shè)計(jì)，并提出了不同的改進(jìn)方法。
　　最后，本文采用Cadence軟件，在SMIC130nm1P8M CMOS工藝下進(jìn)行了電路原理圖仿真、版圖設(shè)計(jì)和提取寄生參數(shù)后仿真，完

4、成了同時(shí)覆蓋L/S波段的六位數(shù)字移相器和開(kāi)關(guān)電路以及覆蓋L/S/C波段的六位數(shù)字移相器和開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)。移相器電路能在全頻帶范圍內(nèi)獲得需要的相移，相移RMS精度誤差不超過(guò)2.5°，插入損耗小于2dB，兩個(gè)移相器的版圖面積分別為3.1×1.7mm2和1.77×1.27mm2。開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)兼顧了插入損耗和隔離度，能夠保證一定的功率處理能力和線性度，T/R開(kāi)關(guān)電路的1dB壓縮點(diǎn)大于10dBm，隔離度大于30dB，插入損耗小于2dB，兩個(gè)開(kāi)關(guān)的版圖