1、本篇論文對于半導體異結(jié)質(zhì)中的自旋軌道耦合作用，而導致的自旋能譜分裂提供了一個理論研究方法。當體系翻轉(zhuǎn)對稱性被破壞，而導致Kramers簡并被解除。我們主要集中討論了異結(jié)質(zhì)中兩類不同的反對稱，結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)不對稱SIA，特別體反轉(zhuǎn)不對稱BIA。這些效應在一類所謂的6.1 A材料系統(tǒng)中：AISb.GaSb InAs被研究。半導體多層結(jié)構(gòu)異結(jié)質(zhì)是不對稱的，而導致子帶分裂被稱為Rashba效應。 從1990年Datta和Das提出利用自旋軌道

2、耦合效應制造自旋的場效應管開始，自旋電子學開始注重半導體中的自旋-軌道耦合的研究。文章研究在二維自由電子的體系中有自旋-軌道耦合存在的情況下的能譜結(jié)構(gòu)。先是回顧這么多年來自旋電子學中自旋-軌道耦合的研究情況，然后介紹我們所做的工作，以及工作中存在的問題，包括一些特殊勢(環(huán)狀勢)的能譜結(jié)構(gòu)的求解。 第一章描述二維電子氣體的性質(zhì)，這個是基礎(chǔ)的而且很成熟的部分。因為低維的半導體器件都是對二維電子氣體做一些限制或者外加電磁場來進行測量，

3、所以有必要做一些準備。 第二章這一章開始討論自旋-軌道耦合，由于我們所研究的系統(tǒng)有這個效應，所以要把這一效應描述清楚。 第三章從這里開始描述自旋的輸運性質(zhì)。關(guān)于電子自旋輸運的討論，目前在自旋電子學中很流行，其中我們主要討論了二維電子自旋輸運問題。 第四章這一章中，我們研究不同的限制勢中，電子的能譜結(jié)構(gòu)，其中有我們的一些研究工作，主要集中在拋物線勢這種特殊的形式上。 第五章這一章中，我們對自旋電子學中存在的