1、本論文針對(duì)既具有重要應(yīng)用價(jià)值，又具有基礎(chǔ)理論研究意義的納米體系下半導(dǎo)體薄膜的場(chǎng)發(fā)射性能，以及相應(yīng)體系中的結(jié)構(gòu)效應(yīng)做了較為系統(tǒng)和深入的理論研究。其目的一方面在于揭示已知量子結(jié)構(gòu)中的新效應(yīng)，研究場(chǎng)發(fā)射的物理機(jī)制和規(guī)律，另一方面希望為基于這些量子結(jié)構(gòu)的器件設(shè)計(jì)提供物理模型和理論依據(jù)。 1．研究了納米晶粒尺寸對(duì)寬帶隙半導(dǎo)體薄膜場(chǎng)發(fā)射性能的影響。研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)納米晶粒對(duì)場(chǎng)發(fā)射性能的影響，存在一個(gè)臨界尺寸，當(dāng)晶粒尺寸小于臨界尺寸時(shí)，才存在明顯

2、的尺寸效應(yīng)，即隨著晶粒尺寸的減小，禁帶寬度變大，從而導(dǎo)致負(fù)電子親和勢(shì)的出現(xiàn)，使得電子更容易逸出，從而提高了場(chǎng)發(fā)射的電流密度，降低了場(chǎng)發(fā)射的開(kāi)啟場(chǎng)強(qiáng)。 2．研究了單層納米寬帶隙半導(dǎo)體薄膜結(jié)構(gòu)的場(chǎng)發(fā)射特性。通過(guò)綜合考慮電子對(duì)勢(shì)壘的隧穿效應(yīng)及電子在輸運(yùn)過(guò)程中的散射效應(yīng)，建立了較為全面的薄膜場(chǎng)發(fā)射的理論模型。結(jié)果表明對(duì)于單層半導(dǎo)體薄膜的場(chǎng)發(fā)射，存在明顯的厚度效應(yīng)，即對(duì)于某一種半導(dǎo)體薄膜材料，僅當(dāng)膜厚在某一適當(dāng)范圍之內(nèi)時(shí)，其場(chǎng)發(fā)射性能才能