1、隨著各種測量方法的應用和探測技術的提高，近年來各種離子源，如ECRIS(ElectronCyclotronResonanceIonSource，電子回旋共振離子源)、EBIS(ElectronBeamIonSource，電子束離子源)、EBIT(ElectronBeamIonTrap，電子束離子阱)源等原則上能提供任意高電荷態(tài)的離子，這允許我們開展高電荷態(tài)離子的研究工作，而在以前只有在宇宙中或者實驗室里高溫等離子體內才存在這種離子。高電

2、荷態(tài)離子目前應用很廣泛，在原子結構、核結構的研究和驗證、相對論、量子電動力學、基本粒子物理的研究和檢驗以及對天體、核聚變等各類等離子體的研究和診斷都有著重要的作用。關于低速高電荷態(tài)離子同表面作用也成為其中很重要的研究工作，可以更好的了解表面結構、探索新的結構改性方法和相關納米技術的研究發(fā)展。 本論文參考處理低能高電荷態(tài)離子同表面相互作用過程中廣泛采用的經典過壘模型來處理入射離子軌道能級上電荷轉移的變化和對入射離子運動狀態(tài)的影響，

3、并對這個過程設計相關程序通過計算機進行模擬。此外，針對高電荷態(tài)離子穿透非晶態(tài)靶物質的碰撞散射過程中，考慮到電子云屏蔽的影響，引入屏蔽庫侖勢能，在很難得到解析描述的情況下，通過編寫算法計算散射截面及能量分布，并對模擬結果進行分析討論。 本論文的內容分為以下幾個章節(jié)：第二章簡單說明當前HCI同表面作用的研究方向第三章詳解介紹COBM理論及相關知識；第四章是有關HCI在靶內，同靶原子中的電子和靶核相互作用相關理論；第五章簡單介紹通用的