1、ZnS是一種寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有閃鋅礦和纖鋅礦兩種不同的結(jié)構(gòu)，禁帶寬度為3.68 eV。單純ZnS材料自身存在一些不足，不利于它在光電子器件方面的應(yīng)用，可以通過離子摻雜來改變其光電性能、提高發(fā)光質(zhì)量、發(fā)光效率和擴(kuò)展發(fā)射光譜范圍。與計(jì)算機(jī)技術(shù)相結(jié)合的材料計(jì)算與設(shè)計(jì)是現(xiàn)代科學(xué)材料研究的重要手段，可以獲取材料的微觀信息，預(yù)測(cè)其宏觀性質(zhì)。本文中，我們采用基于密度泛函理論的平面波超軟贗勢(shì)法計(jì)算了ZnS及其摻雜體系電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)，與共沉

2、淀法制備獲得的ZnS晶體材料的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行比較驗(yàn)證。論文主要內(nèi)容如下：
　　(1)計(jì)算了理想配比的ZnS和存在本征缺陷時(shí)的ZnS的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。計(jì)算結(jié)果表明，ZnS為直接帶隙半導(dǎo)體，存在硫空位(Vs)缺陷時(shí)，帶隙減小，晶胞內(nèi)產(chǎn)生了未成鍵的兩個(gè)電子在導(dǎo)帶底形成深施主能級(jí)，存在鋅空位(VZn)時(shí)在價(jià)帶頂產(chǎn)生受主能級(jí)。光學(xué)性質(zhì)的計(jì)算表明存在結(jié)構(gòu)缺陷Vs和VZn時(shí)，晶體絕緣性增強(qiáng)，折射率、反射率和能量損耗函數(shù)都表現(xiàn)出與介電函數(shù)相對(duì)應(yīng)

3、的特征。通過改變前驅(qū)物滴加順序得到的含不同缺陷的ZnS晶體，進(jìn)行了吸收光譜和熒光光譜的表征，并與理論結(jié)果進(jìn)行比較，吸收的變化與理論分析基本一致，其中430 nm附近的發(fā)光與Vs能級(jí)相關(guān)，隨樣品制備過程中Vs的數(shù)量而發(fā)生改變。
　　(2)對(duì)Zn1-xCdxS三元混晶的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行計(jì)算，討論了x對(duì)Zn1-xCdxS帶隙和對(duì)其中的缺陷能級(jí)形成的影響機(jī)制，同時(shí)還計(jì)算了晶體存在結(jié)構(gòu)缺陷Vs時(shí)的電子結(jié)構(gòu)，分析了缺陷能級(jí)隨x值的移動(dòng)規(guī)

4、律。共沉淀法制備了Zn1-xCdxS三元混晶，并對(duì)其進(jìn)行了退火處理，XRD圖譜表明Cd2+進(jìn)入ZnS晶格替代Zn2+形成了Zn1-xCdxS合金相，吸收光譜測(cè)量顯示了與理論計(jì)算相符的能帶和吸收截止邊的移動(dòng)規(guī)律，熒光光譜顯示與結(jié)構(gòu)缺陷Vs相關(guān)的發(fā)射峰隨著x的增大，從ZnS的435 nm紅移到CdS的620 nm，與計(jì)算得到的Vs缺陷能級(jí)的移動(dòng)規(guī)律相同。
　　(3)計(jì)算了Cu摻雜ZnS、Al摻雜ZnS和Cu、Al共摻雜ZnS的電子結(jié)構(gòu)

5、和光學(xué)性質(zhì)。計(jì)算結(jié)果表明：Al摻雜能實(shí)現(xiàn)n-型金屬ZnS，Cu摻雜ZnS后在價(jià)帶頂提供空穴載流子。Cu和Al共摻狀態(tài)下，由于激活受主Cu的加入，施主Al和受主Cu的相互吸引提高了摻雜物的結(jié)合度，從而提高施主摻雜濃度。通過共沉淀法制備的Cu-Al摻雜ZnS晶體，進(jìn)行了熒光光譜和熒光衰減曲線的表征，結(jié)合計(jì)算的電子結(jié)構(gòu)對(duì)光譜進(jìn)行分析，認(rèn)為摻Cu后503 nm的綠光來自Vs缺陷能級(jí)到銅鋅替位(CuZn)的躍遷；摻Al后發(fā)光峰較純ZnS有微小藍(lán)移