1、近年來,隨著科學技術的發(fā)展,尤其是電子領域技術的快速更新,我們對Si基半導體的要求越來越苛刻,為了獲得高質量的適合我們需要的材料,分子束外延的生長技術越來越受到重視,而Si和Ge因為SiGe異質結結構的廣泛應用,一直是實驗和理論研究的熱點,我們通過分子動力學的模擬來了解這種方法的微觀機理是非常有意義的。隨著對低溫硅緩沖層技術的不斷深入的研究,我們對這種方法的機理的認識也在不斷加深。通過建立各種位錯和空位缺陷以及重構缺陷的原子排布構型,使

2、用分子模擬的方法研究了它們單獨運動和相互作用的情況,我們發(fā)現30度的肖克萊位錯的運動是SiGe異質結結構中位錯運動的關鍵,本文的主要內容就是通過建立30度肖克萊位錯的原子構型,并對模型施加應力從而使位錯進行運動,這樣我們就可以通過計算機模擬得到30度位錯的一些運動特性。通過研究30度位錯的運動過程中原子的排布構型發(fā)生的變化,我們發(fā)現30度位錯的運動是通過彎結對的運動實現的。我們用分子動力學和NEB方法分別對30度位錯中的左右彎結的運動速

3、度和能量進行了計算。得到了LK的遷移勢壘要高于RK,所以RK的運動速度要快于LK。但是由于LK和RK的遷移勢壘都很高,所以他們的運動速度都很慢。而當壓力和溫度超過一定值時,LK和RK進行了分解,并加速了位錯運動。在對RC及LC的速度進行模擬計算中,我們發(fā)現RC的勢壘要遠遠低于LC,而RC的運動速度也比LC大很多,并且RC的遷移勢壘要比RK小得多,而LC的遷移勢壘和LK相比沒有顯著變化。這也說明了RK可以通過分解成RC和RD來加快運動速度