1、本文主要研究了立方氮化硼(c-BN)薄膜的制備、成核機理、光學帶隙以及氮化硼(BN)/Sin-p和BN/Sip-p薄膜異質結的電學性質。 使用RF射頻濺射系統(tǒng)，在Si襯底上沉積氮化硼薄膜，用離子注入的方法在制備好的BN薄膜中分別注入S和Be，成功的制備了BN/Sin-p和BN/Sip-p薄膜異質結，用高阻儀測得BN薄膜表面電阻率和BN/Si薄膜異質結的I-V曲線，用C-V儀測得BN/Si薄膜異質結的C-V曲線。從能量和結構兩個角

2、度成功分析了BN四種相的轉變過程，得到從h-BN到c-BN轉變的一個可能途徑：h-BN→r-BN→c-BN。研究發(fā)現(xiàn)：純的h-BN到r-BN的轉變需要克服一個很高的能量勢壘，而r-BN到c-BN的轉變只需要克服一個很低的能量勢壘；c-BN薄膜中存在的大量缺陷和雜質大大降低了從h-BN到r-BN轉變所需要的能量，促進了薄膜中立方相的形成。實驗制備的BN/Sip-p薄膜異質結的正向伏安特性隨著Be注入劑量的增大、退火溫度的升高和BN薄膜內立