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文檔簡介
1、本文利用慢正電子湮滅多普勒展寬譜和紅外反射光譜等方法研究了SiO2/SiC熱氧化層中的空位型缺陷和氧化層的致密性,以及退火前后的變化,并以SiO2/Si作為對比樣品,說明C元素的存在及其誘生的空位型缺陷對SiO2/SiC氧化層質(zhì)量和SiCMOS擊穿特性造成的影響。實驗結(jié)果證實,在沒有經(jīng)過退火處理的SiO2/SiC表面氧化層中含有比較多的空位型缺陷,退火過程使得空位型缺陷的濃度大幅度降低。C元素在SiO2/SiC系統(tǒng)氧化層中生成的空位型缺
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