1、本文在有效場理論的框架內(nèi)，基于簡立方晶格討論了自旋為1的鍵和晶場稀疏B1ume-Emery-Griffiths(BEG)模型的臨界行為和磁學(xué)性質(zhì)。鍵稀疏，晶場稀疏和晶場，偶極與偶極相互作用和交換相互作用的比率之間的相互影響使BEG模型展示出一些新穎的現(xiàn)象。負(fù)晶場下，正比率α在一定范圍內(nèi)變化時，T-D平面內(nèi)相變曲線中出現(xiàn)雙三臨界點。雙三臨界點之間的一級相變在一定晶場稀疏濃度下隨α的增大而被擴大，而在一定鍵稀疏濃度下隨α的增大呈收縮趨勢。T

2、-p平面內(nèi)在負(fù)晶場和α>0時，系統(tǒng)存在兩個不同的鍵濃度閾值。在外場下，鍵和晶場稀疏的共同作用使起始磁化曲線呈現(xiàn)出一種不規(guī)則的行為。磁化率曲線的峰值明顯降低。平面M-T內(nèi)，在較大負(fù)晶場和比率α為正時，磁化曲線表現(xiàn)出不連續(xù)性，并在一個受限制的磁場小區(qū)域內(nèi)呈現(xiàn)出垂直跳躍。在χ-1-T平面內(nèi)，磁化率曲線表現(xiàn)出與實驗結(jié)果定性相似的結(jié)果。當(dāng)α<-1l時，相圖中同時給出了鐵磁一順磁的相界，交錯磁一順磁的相界和它們的交點雙臨界點。討論了兩種稀疏因子，各