1、關于Si外延生長過程中雜質的偏析行為的研究無論在工業(yè)生產(chǎn)及應用還是在基礎研究領域都是一個關鍵性的基礎課題。隨著器件尺寸下降到深亞微米量級，精確控制摻雜的剖面分布和減小非故意摻雜變得越來越重要。P一直是Si中重要的n型摻雜元素之一，尤其是最近提出了利用P原子掩埋在Si中形成量子計算單元的構想。對于較低外延生長溫度下P在Si中的偏析的研究較少，因而對P在Si中的偏析行為進行深入研究是非常必要的。論文的第一部分利用同步輻射X射線衍射和小角反射

2、研究了低溫范圍內P原子在Si外延生長過程中的偏析行為。同步輻射為光源的X射線散射方法具有光源強度大、深度分辨率高的優(yōu)點。通過在X射線運動學理論范圍內對實驗結果進行數(shù)值模擬可以獲得P在Si中的分布并由此得出P在Si中的偏析衰減長度和偏析等效勢壘能。實驗所用的δ摻P樣品是在固源分子束外延系統(tǒng)RiberEVA-32中生長的。我們的結果表明在生長溫度450℃時P在Si中的偏析就變得明顯了，偏析長度達14nm。在350℃以下P的偏析很弱，偏析長度

3、不大于4nm，因此可以獲得陡峭的摻雜界面及實現(xiàn)δ摻雜結構。由表面擴散模型擬合得出P的偏析等效勢壘能為0.43eV。制備小尺寸、高密度、高均勻性、甚至空間有序排列的Ge量子點仍是這種納米結構硅基半導體材料能否應用所面臨的挑戰(zhàn)之一。十多年來人們探索各種生長方法和工藝以求改進Ge量子點的形貌，如低溫生長法，利用表面活化劑(如Sb)來改變Ge量子點的形貌和分布等，但仍未獲令人滿意的結果。已有研究發(fā)現(xiàn)在化學氣相沉積過程中添加PH3可以明顯改變Ge