1、半導體發(fā)光材料正以飛快的速度影響著當今世界的眾多領(lǐng)域，醫(yī)學、國防及人類生活的方方面面都需要更加高質(zhì)量的發(fā)光材料來滿足人類的需要，所以對半導體發(fā)光材料發(fā)光特性的表征及深入分析是十分必要的。研究不僅可以發(fā)現(xiàn)更多半導體材料不為人知的優(yōu)點，還可以用理論指導改進生產(chǎn)工藝，使半導體發(fā)光材料更好地為人類服務(wù)，帶來一場嶄新的照明革命。對于材料的光學性能的檢測有很多種技術(shù)，光致發(fā)光檢測是檢測及表征半導體中缺陷非常有用的工具，尤其是在一些寬禁帶半導體材料中

2、的應(yīng)用，因為對于這些材料，電學方面的測量多少會受到一定的限制，電學測量會出現(xiàn)熱現(xiàn)象，而熱現(xiàn)象超過了這些寬禁帶半導體中很大的激活能。
　　 本文詳細介紹了一些半導體發(fā)光材料的基本結(jié)構(gòu)，生長方式及發(fā)光機理，并利用光致發(fā)光的檢測方法，仔細分析了各個不同樣品的情況，通過對數(shù)據(jù)的擬合、比較得出了相應(yīng)的結(jié)果。樣品主要選取了InGaN 寬禁帶的半導體材料進行了分析。主要內(nèi)容包括：利用光致發(fā)光譜研究了不同組分銦鎵氮材料的光學特性。發(fā)現(xiàn)隨著溫度升

3、高，兩個樣品的主峰表現(xiàn)出一種行為：半高寬度(FWHM)增加時，主峰位置紅移；半高寬度減少時，主峰位置藍移。對所得數(shù)據(jù)進行Arrhenius 擬合，比較激活能得出以下結(jié)果：樣品B中的非輻射復合中心比樣品A中的易被激活；樣品B中的載流子逃逸效應(yīng)比樣品A中更為明顯，從而解釋了兩個樣品發(fā)光效率不同的原因，為樣品的改良提供了理論依據(jù)。利用不同的激發(fā)能量激發(fā)LED樣品的研究中發(fā)現(xiàn)，當激發(fā)能量低于氮化鎵帶邊能量時，在2.9eV左右的寬闊的發(fā)光峰有明顯