1、高速、高集成度的微電子器件的廣泛應(yīng)用，使得現(xiàn)代電子設(shè)備(系統(tǒng))對(duì)靜電放電敏感度大幅度提高，因而有必要對(duì)電子設(shè)備(系統(tǒng))進(jìn)行ESD抗擾度試驗(yàn)。國(guó)際電工委員會(huì)發(fā)布了靜電放電抗擾度試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2，但標(biāo)準(zhǔn)中僅定義了放電電流波形的幾個(gè)特征參數(shù)，卻還沒(méi)有關(guān)于ESD瞬變輻射場(chǎng)的明確規(guī)定。 本文基于IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的ESD抗擾度試驗(yàn)平臺(tái)，對(duì)試驗(yàn)平臺(tái)空間中的輻射電磁場(chǎng)進(jìn)行了數(shù)值分析與研究。在數(shù)值分析中，電流源取

2、基于脈沖函數(shù)的電流波形表達(dá)式，通過(guò)將電流源(激勵(lì)源)看作有源麥克斯韋方程的一項(xiàng)，自然地將電流源插入到了FDTD網(wǎng)格之中，與其他點(diǎn)相比，源點(diǎn)處具有不同的差分格式，在此基礎(chǔ)上，計(jì)算了兩種間接放電情形下耦合板附近輻射場(chǎng)分布情況。文中首先研究了對(duì)水平耦合板(HCP)放電情形，在HCP板上方選取了部分典型場(chǎng)點(diǎn)，通過(guò)Matlab對(duì)各場(chǎng)點(diǎn)電磁場(chǎng)進(jìn)行了計(jì)算，得到了電磁場(chǎng)時(shí)域波形，并分析了電磁場(chǎng)時(shí)域特性及空間分布情況，同時(shí)還對(duì)不同放電電壓下電磁場(chǎng)分布做了

3、比較研究；另一種放電情形是指對(duì)垂直耦合板(VCP)的放電，文中選取了VCP板前方10cm處的平面上部分場(chǎng)點(diǎn)和HCP板上方部分場(chǎng)點(diǎn)，對(duì)其電磁場(chǎng)進(jìn)行了計(jì)算，分析了電磁場(chǎng)時(shí)域特性及空間分布情況，同時(shí)也研究了在不同放電電壓下電磁場(chǎng)的變化情況，并就兩種放電情形下，距離放電點(diǎn)10cm處的電磁場(chǎng)作了比較分析。 文中還進(jìn)行了相關(guān)的實(shí)驗(yàn)分析與研究，實(shí)驗(yàn)在滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)要求的抗擾度試驗(yàn)平臺(tái)上進(jìn)行。模擬器采用人體-金屬模型放電網(wǎng)絡(luò)，放電電壓選取了標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的