1、鈦擴(kuò)散進(jìn)入鈮酸鋰晶片的過程被視為一種電化學(xué)反應(yīng)。擴(kuò)散過程中包含鈦離子進(jìn)入鈮酸鋰晶體的離子轉(zhuǎn)移過程。鈦離子取代鈮在晶體中的位置，而鈮離子則擴(kuò)散進(jìn)入基片的表面。這個電化學(xué)擴(kuò)散過程被用于改變鈮酸鋰晶片的表面結(jié)構(gòu)。本論文在國內(nèi)外率先開展了該方面的研究工作，并取得了一些初步實(shí)驗(yàn)結(jié)果，為進(jìn)一步的研究奠定了基礎(chǔ)。
　　 本論文的主要工作包括以下四個方面：
　　 1.以摻雜氧化鎂的同成份鈮酸鋰晶體為基底，在其表面一半濺射上鈦膜，在其上覆

2、蓋另一片摻雜氧化鎂的同成分鈮酸鋰晶體并緊密接觸。在大約1050℃的高溫下煅燒10個小時，擴(kuò)散過程中，氧氣通過60℃的水浴，并以1L/min的流速通入擴(kuò)散爐。
　　 2.進(jìn)行了三組對比實(shí)驗(yàn)，定性的給出了鈦膜厚度、擴(kuò)散時間、擴(kuò)散溫度對摻雜氧化鎂的同成份鈮酸鋰晶體的腐蝕深度的影響。即，增加鈦膜厚度、延長擴(kuò)散時間、提高擴(kuò)散溫度可以有效地增加鈮酸鋰晶體的腐蝕深度，并且，當(dāng)初始鈦膜厚度大于600nm左右的時候，腐蝕深度隨著鈦膜厚度的增加有所

3、下降。
　　 3.表面被腐蝕的情況將通過原子力顯微鏡來進(jìn)行定性的描述，可以看出，被腐蝕的上片具有明顯的被腐蝕的特征，并且被腐蝕表面幾乎與原始晶片表面一樣平滑；下片隆起部分非常明顯，但是擴(kuò)散后的表面變得異常粗糙。而且其隆起部分的邊緣處也是非常陡峭，高度提升非常明顯。腐蝕所產(chǎn)生的溝槽深度和粗糙度將使用臺階儀和原子力顯微鏡來進(jìn)行定量的分析，腐蝕深度達(dá)到266.5nm，表面RMS粗糙度為1.3m。
　　 4.采用拉曼散射技術(shù)和X