二維Mo2C相變和二維MoN點(diǎn)缺陷的電子顯微學(xué)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、近年來(lái),二維過(guò)渡族金屬碳化物(TMCs)和氮化物(TMNs)受到了極大關(guān)注,在電化學(xué)儲(chǔ)能、熱電轉(zhuǎn)換、催化、電磁屏蔽等領(lǐng)域表現(xiàn)出重要的應(yīng)用前景。然而,人們對(duì)二維TMCs和TMNs的結(jié)構(gòu)尚不完全清楚。為此,本文利用透射電子顯微學(xué)方法分別對(duì)CVD生長(zhǎng)的二維α-Mo2C晶體和MoN晶體進(jìn)行了輻照相轉(zhuǎn)變和點(diǎn)缺陷的結(jié)構(gòu)研究,取得了如下主要結(jié)果:
  利用透射電子顯微學(xué)技術(shù)原位研究了二維α-Mo2C晶體在電子束照射下的微觀結(jié)構(gòu)變化,發(fā)現(xiàn)二維α-

2、Mo2C晶體在電子束輻照下發(fā)生了碳空位的有序-無(wú)序轉(zhuǎn)變,碳原子從Z字形占位轉(zhuǎn)變?yōu)殡S機(jī)占位,使得Mo2C晶體從正交的α相轉(zhuǎn)變成六方的β相。利用第一性原理計(jì)算研究了碳原子的遷移路徑和相應(yīng)的能量勢(shì)壘,發(fā)現(xiàn)碳原子在與電子束平行的方向穿過(guò)由三個(gè)Mo原子組成的平面的遷移路徑能量勢(shì)壘最低。利用電子輻照可誘導(dǎo)Mo2C晶體發(fā)生α→β相轉(zhuǎn)變的性質(zhì)并借助球差校正掃描透射電子顯微術(shù),實(shí)現(xiàn)了圖案可控且界面明銳的二維α/βMo2C面內(nèi)異質(zhì)結(jié)的原位構(gòu)筑,為研究介觀超

3、導(dǎo)體中的渦流效應(yīng)和不同晶相的催化劑在界面處的協(xié)同催化效應(yīng)提供了平臺(tái)。
  利用透射電子顯微學(xué)技術(shù)對(duì)CVD生長(zhǎng)的二維MoN晶體的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究,確定其為六方的δ-MoN,該晶體由大面積的基體膜和膜上具體小三角形形狀的晶體組成。其中,基體膜為δ1-MoN,膜上具有小三角形形狀的晶體為δ3-MoN,二者構(gòu)成取向?qū)χ械拇怪狈较虻漠愘|(zhì)結(jié)構(gòu)。利用球差校正掃描透射電子顯微術(shù)對(duì)大面積δ1-MoN基體膜進(jìn)行了原子尺度的結(jié)構(gòu)分析,發(fā)現(xiàn)兩種類型的點(diǎn)

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