1、高密度電阻率法屬于直流電阻率法的范疇，是在常規(guī)電法勘探基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種勘探方法。高密度電阻率法采取較密集的測(cè)點(diǎn)以及多種裝置的組合同時(shí)測(cè)量，可提供豐富的地電信息，有利于數(shù)據(jù)資料的處理與解釋。電阻率成像技術(shù)是利用采集的視電阻率數(shù)據(jù)資料，進(jìn)行正反演成像研究的一種技術(shù)。在本論文里高密度電法微觀系統(tǒng)采集的視電阻率數(shù)據(jù)是利用電阻率成像技術(shù)成像。
　　 對(duì)于電阻率成像技術(shù)的研究和應(yīng)用,前人已做了大量的工作。本文總結(jié)了前人關(guān)于電阻率成像技術(shù)

2、的概念、研究歷史及研究成果，在此基礎(chǔ)上，以電阻率成像技術(shù)二維正演為手段，對(duì)理論模型進(jìn)行正演數(shù)值模擬研究，得到模型的視電阻率數(shù)據(jù)。然后在實(shí)驗(yàn)室對(duì)理論模型通過高密度電法微觀系統(tǒng)進(jìn)行物理模擬，得到視電阻率。數(shù)值模擬和物理模擬得到的視電阻率數(shù)據(jù)利用電阻率成像技術(shù)得到視電阻率成像色譜圖，然后進(jìn)行對(duì)比分析，給出了以下結(jié)論：
　　 1、溫納裝置、偶極裝置、微分裝置在實(shí)測(cè)中分別在反映高、低組水平產(chǎn)狀體和高阻直立產(chǎn)狀體相對(duì)正演模型下移了總層數(shù)20

3、％，所以在實(shí)際的資料解釋或處理時(shí)可以適當(dāng)減小異常區(qū)域在圖中的最大勘探深度20％；在反映低阻直立產(chǎn)狀體相對(duì)正演模型上移了總層數(shù)30％，所以在資料解釋時(shí)相反可以加大最大勘探深度30％。
　　 2、溫納裝置、偶極裝置、微分裝置在實(shí)測(cè)中在反映水平產(chǎn)狀體時(shí)相對(duì)正演模型異常區(qū)域在縱向上有所拉伸，所以在實(shí)際的資料解釋或處理時(shí)可以適當(dāng)減小異常區(qū)域在圖中的厚度；而在反映直立產(chǎn)狀體時(shí)異常區(qū)域在橫向拉伸，在實(shí)際的資料解釋或處理時(shí)可以適當(dāng)減小異常區(qū)域在