1、航空發(fā)動(dòng)機(jī)是飛機(jī)的心臟，是一個(gè)國(guó)家科技、工業(yè)和國(guó)防實(shí)力的重要體現(xiàn)。它的研制是一項(xiàng)復(fù)雜的系統(tǒng)性工程，涉及到空氣動(dòng)力學(xué)、傳熱傳質(zhì)學(xué)、結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、以及試驗(yàn)和測(cè)試技術(shù)等多個(gè)學(xué)科。溫度測(cè)量是航空發(fā)動(dòng)機(jī)研制中的一項(xiàng)主要試驗(yàn)測(cè)試內(nèi)容，其中航空發(fā)動(dòng)機(jī)高溫測(cè)量和轉(zhuǎn)動(dòng)件測(cè)溫是溫度測(cè)量的主要難題。一些資料中提到國(guó)外研究了一種新型的SiC晶體測(cè)溫技術(shù)，可以解決這一難題。由于涉及軍事技術(shù)的封鎖我國(guó)尚未掌握該技術(shù)，為此我們開展了基于SiC晶體材料的測(cè)溫技術(shù)研究，研究

2、結(jié)果如下:
　　1.新型的SiC晶體測(cè)溫技術(shù)是基于SiC晶體受中子輻照產(chǎn)生的缺陷在退火過程中有規(guī)律回復(fù)的原理。我們所研究的這種測(cè)溫方法不同于常規(guī)的測(cè)溫方法，它是一種非侵入式測(cè)量方法，能解決航空發(fā)動(dòng)機(jī)高溫部件和轉(zhuǎn)動(dòng)件溫度測(cè)量的難題。
　　2.研究測(cè)溫用SiC晶體材料的選取方法。提出了使用6H-SiC作為測(cè)溫晶體的材料，實(shí)現(xiàn)測(cè)溫晶體材料的國(guó)產(chǎn)化。中子輻照產(chǎn)生的缺陷濃度與SiC晶體生長(zhǎng)過程中形成的原始缺陷有關(guān)，因此要求在6H-Si

3、C晶體生長(zhǎng)時(shí)摻雜以提高原始缺陷，實(shí)現(xiàn)SiC晶體中子輻照時(shí)提高缺陷濃度，從而使SiC晶體測(cè)溫的測(cè)溫范圍提高到1600℃，高于國(guó)外的1400℃。
　　3.使用核裂變反應(yīng)堆的中子源實(shí)現(xiàn)6H-SiC晶體的中子輻照，6H-SiC晶體輻照損傷后產(chǎn)生大量的晶體缺陷，通過四種材料分析測(cè)試方法驗(yàn)證晶體缺陷的大量產(chǎn)生。
　　4.研究SiC晶體測(cè)溫的溫度判讀方法。分析比較四種材料分析測(cè)試方法，提出了SiC測(cè)溫晶體溫度判讀的XRD法，通過退火實(shí)驗(yàn)和

4、分析測(cè)試得出SiC測(cè)溫晶體的晶面間距d和半高寬FWHM與晶體退火溫度的規(guī)律性關(guān)系，其中半高寬FWHM參數(shù)表征的測(cè)溫范圍是600～1600℃，更適合于航空發(fā)動(dòng)機(jī)的高溫測(cè)量，并且準(zhǔn)確性更高。提出了6H-SiC測(cè)溫晶體的溫度校準(zhǔn)標(biāo)定方法，通過溫度校準(zhǔn)標(biāo)定建立了SiC晶體測(cè)溫的溫度定標(biāo)曲線，作為本課題研究的6H-SiC測(cè)溫晶體的溫度判讀標(biāo)準(zhǔn)。
　　5.通過晶體測(cè)溫應(yīng)用試驗(yàn)，在某航空發(fā)動(dòng)機(jī)渦輪葉片壁溫的測(cè)試試驗(yàn)中，驗(yàn)證了SiC測(cè)溫晶體在航空