1、基于疇壁設計的自旋電子學器件主要利用了電子的自旋屬性，隨著自旋轉移矩效應(Spin-transfer Torque，STT)的發(fā)現，使人們從此擺脫了電子學器件對磁場的依賴。基于STT效應的電子學器件普遍具有尺寸較小，易集成，功耗較低和速度較快等諸多優(yōu)點，所以STT效應被廣泛的用來研究和開發(fā)磁性隨機存儲器、賽道存儲器、微波振蕩器等各類自旋電子學器件。相對于面內磁化納米結構而言垂直磁化納米結構由于其疇壁自旋結構簡單、疇壁寬度較窄、閾值電流較

2、小等優(yōu)勢，近年來得到了研究者的廣泛關注。鑒于此，本論文通過微磁學模擬的方法主要研究垂直磁化納米結構中的疇壁振蕩動力學特性，得出的具體研究結果如下:
　　(1)首先研究了垂直磁化刻痕納米線中的疇壁振蕩動力學特性，振蕩電流隨刻痕深度增加先減小后增大，矩形對稱刻痕在h=12nm時，圓弧形和三角形刻痕在h=18nm時達到最小的振蕩電流;去釘扎電流隨刻痕深度增加而逐漸變大;振蕩頻率隨著電流的增大呈現線性增加且基本與刻痕類型無關，頻率隨電流的

3、增大會出現穩(wěn)定的平臺區(qū)域，矩形刻痕h=12nm時，三角和圓弧刻痕在h=18nm時達到穩(wěn)定的平臺區(qū)域;振蕩振幅隨電流增加而減小，振幅的大小與刻痕類型存在一定的關系:相同電流下三角形對稱刻痕振幅最大，圓弧刻痕次之，矩形刻痕振幅最小;頻率和振幅主要可以通過電流、刻痕深度、材料參數、對稱和不對稱性刻痕類型等方面進行相應調控。
　　(2)多刻痕納米線中的疇壁振蕩動力學特性，疇壁磁化后的穩(wěn)定極性狀態(tài)可通過刻痕間距和部分刻痕深度來調控;振蕩電流

4、和去釘扎電流與單個對稱矩形刻痕相比差別不大;電壓信號V可通過刻痕間距S、刻痕數目和電流驅動下磁場輔助等方面得到有效的提高。
　　(3)垂直-面內磁化混合納米線中的疇壁振蕩動力學特性，疇壁的運動速度與電流幾乎成線性增長關系;疇壁起始振蕩調節(jié)與阻尼因子系數α、非絕熱項系數β、垂直各向異性常數KPMA、界面交換常數A12以及飽和磁化強度MSPMA和MSiMA存在一定關系;振蕩頻率和振幅可通過電流驅動、電流驅動下磁場輔助以及相關材料參數K