1、目前，SIMS廣泛用于固體材料的痕量元素分析，特別是半導體和薄膜產品。SIMS的離子源是一種直接從固體樣品上產生離子，不需事先經過蒸發(fā)。SIMS的一次離子束可以聚焦到小于1微米。通過控制一次離子束作用于樣品表面上的條件，可以進行微區(qū)分析、橫向分布測量和深度剖析等。 SIMS分析中的二次離子產額被定義為一個入射離子轟擊樣品時所產生的二次離子數(shù)。不同元素的離子產額變化幅度會達到幾個數(shù)量級。對于離子產額影響最大的因素分別是離子化勢(正

2、離子)和電子親和勢(負離子)。 本課題采用質譜界所公認的同位素豐度比以及已知的各元素的二次離子產額，進行鋁材料中一些雜質的無標樣定量分析。然后與原子發(fā)射光譜儀(直讀光譜儀)及輝光放電質譜法等其它方法的測試結果進行比對，探討二次離子無標樣定量分析的方法和可行性。 采用SIMS無標樣定量分析進行鋁材定量的分析結果基本能夠反映出分析鋁材中各元素的組成情況，可以認為SIMS的無標樣定量分析有一定的現(xiàn)實意義。盡管SIMS的分析結果