1、二次離子質(zhì)譜(簡(jiǎn)稱SIMS)作為半導(dǎo)體雜質(zhì)元素定量分析的強(qiáng)有力工具在半導(dǎo)體領(lǐng)域已得到大量應(yīng)用。目前SIMS的定量分析大都是采用實(shí)驗(yàn)標(biāo)樣校準(zhǔn)法，其中一種基于標(biāo)準(zhǔn)樣品中參考元素的相對(duì)靈敏度因子(簡(jiǎn)稱RSF)校正法由于使用方便而得到廣泛應(yīng)用。但在實(shí)際應(yīng)用中，受到儀器狀態(tài)、參數(shù)設(shè)置、操作人員水準(zhǔn)差異等等主客觀因素的影響，需要進(jìn)一步標(biāo)準(zhǔn)化，使SIMS定量分析的結(jié)果更準(zhǔn)確可靠。本文通過調(diào)研SIMS定量分析的國(guó)內(nèi)外應(yīng)用現(xiàn)狀、標(biāo)準(zhǔn)樣品和測(cè)試參數(shù)以及SI

2、MS定量分析精度的評(píng)價(jià)方法等文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，以GaN基LED外延薄膜為主要研究對(duì)象，對(duì)CAMECA IMS-7f型SIMS定量分析的標(biāo)準(zhǔn)樣品中Si、Mg、C、H、O五個(gè)元素的兩千余個(gè)RSF數(shù)據(jù)及定量分析結(jié)果測(cè)量的重復(fù)性和穩(wěn)定性進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)分析，討論了SIMS定量分析精度的影響因素，以及參數(shù)設(shè)置對(duì)定量分析結(jié)果的影響，為進(jìn)一步提高SIMS的分析精度提供參考。得到了以下研究成果：
　　1、根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果得出，電子倍增器加速電壓(EM HV)的

3、變化對(duì)RSF影響最為明顯，提高EM HV會(huì)降低電子倍增器產(chǎn)額(EM Yield)，使待測(cè)元素的二次離子強(qiáng)度增大，RSF減小。
　　2、在EM HV相同的時(shí)間段內(nèi)，RSF值隨著時(shí)間的推移整體呈上升趨勢(shì)，證明電子倍增器會(huì)產(chǎn)生老化現(xiàn)象，導(dǎo)致探測(cè)到的二次離子強(qiáng)度降低，使RSF呈現(xiàn)上升趨勢(shì)。
　　3、相比較來說相同測(cè)試條件下Si、Mg、C、H的RSF的統(tǒng)計(jì)相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差(RSD)較小，O的RSF的RSD較大，這主要是腔體真空中的殘留以及