1、本文圍繞低能質(zhì)子在星內(nèi)器件中的非電離能損(NIEL)和空間電子對太陽軟X射線探測器干擾兩項研究內(nèi)容，利用蒙特卡羅方法進行了一系列的模擬計算研究。在NIEL的計算物理模型中，考慮了庫侖屏蔽，同時在用SRIM程序進行計算時采用了“薄靶近似規(guī)則”和單能逐點入射，使得模型更加合理，計算結(jié)果更加精確；以GaAs/Ge太陽電池為例，詳細討論了性能參數(shù)Pmax的衰降與NIEL的關(guān)系并應(yīng)用于國內(nèi)太陽電池的預(yù)測。在探測器模擬方面，對計算模型進行了合理的簡

2、化處理，對能譜抽樣方法進行了改進，考慮了電子在磁場中的偏轉(zhuǎn)情況，對信息記錄也做了改進。論文的主要內(nèi)容有： 系統(tǒng)地總結(jié)分析了空間輻射環(huán)境及其可能產(chǎn)生的輻射效應(yīng)。不同空間軌道的輻射及其在不同的星內(nèi)材料中會導(dǎo)致不同的效應(yīng)，開展輻射效應(yīng)機制研究，掌握其規(guī)律，對于空間電子學(xué)元器件的抗輻射加固指標(biāo)提出，以及在其它研究中的方案設(shè)計等都有重要意義。 簡要介紹了GEANT4和SRIM程序，針對GEANT4目前計算NIEL的局限性進行了二次

3、開發(fā)，并用來模擬空間復(fù)雜環(huán)境下電子能譜對探測器的影響。 對低能質(zhì)子NIEL的計算進行了詳細的討論。由于低能時庫侖相互作用占主導(dǎo)地位，一般采用Mott-Rutherford微分散射截面，但它沒考慮核外電子庫侖屏蔽的影響。為此，本文用解析法和基于蒙特卡羅方法的SRIM程序計算了考慮庫侖屏蔽后低能質(zhì)子在Si和GaAs材料中的NIEL，SRIM程序在計算過程中采用薄靶近似法，并與其它作者的數(shù)據(jù)進行了比較。計算結(jié)果表明：用SRIM程序計算

4、NIEL時采用“薄靶近似規(guī)則”及單能逐點入射處理是比較合理的，同時考慮庫侖屏蔽效應(yīng)后的NIEL較沒考慮前要小，當(dāng)能量為1keV時，Si材料中NIEL的值為考慮前結(jié)果的30％，GaAs材料中為20％，這在航天設(shè)計中有著重要的意義。 對太陽電池的主要性能參數(shù)Pmax與NIEL的關(guān)系進行了詳細討論。以實驗數(shù)據(jù)為例，針對GaAs/Ge太陽電池受質(zhì)子輻照后性能參數(shù)的變化，分析了Pmax的衰降與NIEL的關(guān)系。發(fā)現(xiàn)在質(zhì)子輻照能量0.1MeV

5、