1、金納米顆粒陣列由于具有高度電學(xué)靈敏性以及表面等離激元增強(qiáng)等優(yōu)異的物理特性，在應(yīng)變傳感器、光電子器件以及光催化領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。一方面，納米顆粒陣列的導(dǎo)電性對顆粒之間的間隙較為敏感，因此可以用作應(yīng)變傳感器。目前，基于球形金納米顆粒陣列的應(yīng)變傳感器具有各向異性的電學(xué)響應(yīng)，實現(xiàn)各向同性的電學(xué)響應(yīng)是提高傳感性能的關(guān)鍵因素。另一方面，金納米顆粒鏈可以在激光作用下表現(xiàn)出很強(qiáng)的近場耦合，能夠提高表面增強(qiáng)拉曼因子。而電場的增強(qiáng)與納米顆粒的形貌密切

2、相關(guān)。因此，本論文針對以上兩方面應(yīng)用，研究了不同形貌金納米顆粒陣列及金納米顆粒鏈的電學(xué)響應(yīng)和光催化性能，主要研究結(jié)果如下：
　　1.基于對流自組裝技術(shù)，一方面，制備亞納米尺度間隙的單層金納米顆粒陣列并用作應(yīng)變傳感單元。另一方面，本文制備大面積亞納米尺度間隙的金納米顆粒鏈用于增強(qiáng)分子的拉曼光譜。金納米顆粒鏈的覆蓋區(qū)域可以達(dá)到15μm×15μm。
　　2.把毛刺金納米顆粒陣列構(gòu)建成應(yīng)變傳感器。當(dāng)從不同方向施加應(yīng)變時，導(dǎo)電路徑是隨

3、機(jī)分布的，因此電學(xué)響應(yīng)表現(xiàn)出各向同性。基于實驗現(xiàn)象，建立了一個簡單模型來描述表面形貌對導(dǎo)電路徑的影響。
　　3.發(fā)現(xiàn)單層毛刺金納米顆粒鏈具有很強(qiáng)的近場耦合，能夠顯著地增強(qiáng)表面電場。因此，該結(jié)構(gòu)能夠高效地將四氨基苯硫酚(PATP)分子催化為二巰基偶氮苯(DMAB)分子。此外，在功率為27.13μW時，球形金納米顆粒鏈表面連接的PATP分子催化為DMAB分子，而在功率為18.09μW時，毛刺金納米顆粒鏈表面連接的PATP分子催化為DM