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![銅鋅錫硫硒薄膜的硒化工藝及其光電性能研究.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/d3e5a7c4-7057-47b9-b7d0-68e4db462f56/d3e5a7c4-7057-47b9-b7d0-68e4db462f561.gif)
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文檔簡(jiǎn)介
1、在過(guò)去的數(shù)十年中,基于銅銦鎵硒(CIGS)和碲化鎘(CdTe)光吸收材料的電池器件是薄膜太陽(yáng)能電池的研究重點(diǎn),然而由于鎘元素對(duì)環(huán)境的污染及銦元素的稀缺,廣大科研工作者致力于開(kāi)發(fā)新的存儲(chǔ)量大、環(huán)境友好的光吸收材料。硫?qū)侔雽?dǎo)體化合物銅鋅錫硫硒(CZTSSe),由黃銅礦結(jié)構(gòu)的CIGS材料發(fā)展而來(lái),具有與CIGS、CdTe等光吸收材料相媲美的光電特性,且組成元素在地殼中含量豐富,價(jià)格低廉,引起了廣泛關(guān)注。目前,許多真空和非真空類(lèi)方法被用來(lái)制備C
2、ZTSSe薄膜,其中前驅(qū)體溶液法是最常用的制備方法。這種方法具有低成本,低能耗,高產(chǎn)出,適用于大面積沉積等優(yōu)勢(shì),有利于實(shí)現(xiàn)低成本、大規(guī)模生產(chǎn)。
本論文采用非肼溶劑前驅(qū)體溶液法旋涂制備CZTSSe薄膜,通過(guò)優(yōu)化硒化條件(硒化裝置、硒化溫度、硒化時(shí)間、硒粉用量和硒化次數(shù)等)改善CZTSSe薄膜的結(jié)晶性,制備無(wú)小顆粒層的大晶粒CZTSSe薄膜。采用表面光電壓測(cè)試、電阻率測(cè)試等檢測(cè)方法對(duì)不同結(jié)晶性的CZTSSe薄膜的光電性能進(jìn)行表征,
3、并組裝電池,研究吸收層結(jié)晶性的改善對(duì)電池性能的影響。本論文主要開(kāi)展了以下3個(gè)方面的工作:
1.制備CZTSSe薄膜:本論文以乙醇為溶劑,依次溶解Cu2O,SnCl4·5H2O,ZnCl2·2H2O于1-丁基二硫代氨基甲酸(1-丁胺與二硫化碳的反應(yīng)產(chǎn)物)的乙醇溶液中,得到含有銅、鋅、錫、硫元素的前驅(qū)體溶液。隨后經(jīng)數(shù)次旋涂制膜/低溫預(yù)燒處理后得到前驅(qū)體薄膜。最后,上述前驅(qū)體薄膜經(jīng)高溫硒化處理后,得到CZTSSe薄膜。
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4、.制備大晶粒CZTSSe薄膜:本論文通過(guò)對(duì)影響薄膜結(jié)晶性的因素:硒化裝置、硒化時(shí)間、硒化溫度、硒粉用量和硒化次數(shù)等條件進(jìn)行優(yōu)化,采用 XRD、Raman、SEM和EDS等檢測(cè)方法對(duì)樣品進(jìn)行表征,結(jié)果表明,我們成功地制備出純相的鋅黃錫礦結(jié)構(gòu)大晶粒CZTSSe薄膜。
3.性能表征及器件組裝:本論文采用表面光電壓測(cè)試、電阻率測(cè)試對(duì)不同結(jié)晶性的CZTSSe薄膜(納米顆粒薄膜、上層為大晶粒層下層為納米顆粒層的雙層結(jié)構(gòu)薄膜、大晶粒薄膜)的
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