1、利用磁控濺射技術在藍寶石(Al2O3)襯底上制備了InN薄膜。純金屬銦為靶材，濺射氣體為Ar，反應氣體為N2。用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、紫外-可見分光光度計等設備研究了濺射氣壓、反應氣體流量和退火等因素對生長InN薄膜的結構、表面形貌、吸收特性及光學帶隙的影響。
　　實驗主要得出以下結果：
　　(1)改變?yōu)R射氣壓實驗條件的結果表明，制備的InN薄膜的晶體取向從(002)取向過渡到(101)取向；晶體形貌從球形顆粒向長條

2、狀的形貌轉變；當濺射壓強為1.0 Pa時，光學帶隙為最小。
　　(2)改變氮氣流量比率實驗條件的結果表明，制備的InN薄膜的晶體取向從(101)取向過渡為(002)擇優(yōu)取向；晶體形貌從球形和長條形共存的形貌向球形的形貌過渡；隨著氮氣流量比率的增加，發(fā)現(xiàn)InN薄膜的光學帶隙變大。
　　(3)純N2制備的InN薄膜樣品，隨退火溫度的升高，光學帶隙值降低，結晶質量變好。
　　(4)利用開孔和閉孔透射Z掃描實驗，測試了光子能量