1、隨著電力電子技術的不斷發(fā)展，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）在電力傳輸領域得到了廣泛應用。逆導型IGBT是一種新型器件，將反向續(xù)流二極管與IGBT集成在同一個芯片上，相比于傳統(tǒng) IGBT，在成本、封裝體積與可靠性等方面具有較大優(yōu)勢。我國的半導體電力電子技術已經(jīng)得到了突飛猛進的發(fā)展，然而在逆導型Trench FS IGBT領域的研究尚未開展。因此，掌握逆導型Trench FS IGBT的設計與

2、生產(chǎn)等關鍵環(huán)節(jié)是至關重要的。本論文從基礎理論入手，將先進的Trench結構與FS結構引入逆導型IGBT，設計一款1200V逆導型Trench FS IGBT，并進一步提出具有優(yōu)異反向恢復特性的創(chuàng)新結構。
　　本文主要內(nèi)容如下：
　　1.介紹電力電子器件的發(fā)展趨勢，分析IGBT技術變革的特點，對Trench FS IGBT的電特性進行討論，然后進一步闡述具有集電極N+短路區(qū)的逆導型Trench FS IGBT的基本理論；

3、>　　2.設計一款1200V逆導型Trench FS IGBT是本課題的主要目標。在完成器件結構設計的基礎上，確定合理的工藝流程，再利用工藝仿真軟件進行擊穿電壓、導通壓降、閾值電壓以及關斷時間等關鍵器件參數(shù)的仿真。完成終端結構的設計，并制定優(yōu)化的版圖方案。本文完成的1200V逆導型Trench FS IGBT，滿足預期的設計目標：擊穿電壓為1438V，導通壓降為1.64V，閾值電壓為4.38V，關斷時間為106ns；
　　3.提出