1、新型功率器件——絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）廣泛應用于智能電網(wǎng)、電動汽車、高速鐵路、家電產(chǎn)品和工業(yè)控制等領域，目前全球市場的IGBT都被國外公司（infineon、farchild、IR、Fuji等）壟斷，國內(nèi)的IGBT處于技術落后，特別是可靠性差的狀態(tài)。如何提升IGBT的可靠性，制造具有自主知識產(chǎn)權的IGBT產(chǎn)品，推向市場，是迫在眉睫的任務。
　　本論文是基于和國內(nèi)某知名半導體代工企業(yè)的合作項目，主要目的是研發(fā)一款具有高可靠性

2、的1200V IGBT，藉此希望能推動IGBT的國產(chǎn)化。
　　1、進行1200V IGBT的設計。包括工藝流程設計、器件結(jié)構設計（元胞和終端）、版圖設計和可靠性設計等工作。由于工藝設計、器件結(jié)構設計、版圖設計和可靠性設計是相互關聯(lián)的，設計時要綜合考慮。因此，首先建立了元胞和終端的工藝，然后結(jié)合仿真工具對工藝和器件結(jié)構進行設計，在考慮可靠性的同時反向?qū)に嚵鞒踢M行再次設計，其后進行器件的優(yōu)化設計和仿真，最終確定工藝和器件結(jié)構參數(shù)，并

3、繪制版圖。其中，設計時需要分析的參數(shù)包括元胞大小、終端選取、注入劑量等等。
　　2、對上述設計的1200V IGBT進行兩次流片測試，最終測試參數(shù)如下：器件耐壓約1400V，閾值電壓5V，正向壓降1.94V，開關時間td(on):56ns、trise:157ns、td(off):385ns、tfall:101ns，滿足預設指標要求。同時通過HTRB考核，短路時間為12μs，大于一般產(chǎn)品datasheet標稱值10μs。