1、LDMOS(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor)器件以其各方面的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)基本取代雙極型器件成為射頻領(lǐng)域的主流技術(shù)，由于RF LDMOS器件巨大的市場(chǎng)前景和重要的軍用價(jià)值，成為了半導(dǎo)體行業(yè)研究的熱點(diǎn)，我國(guó)也已展開了對(duì)硅基RF LDMOS器件的研發(fā)工作。
　　本設(shè)計(jì)的目標(biāo)是獲得一款大功率RF LDMOS器件，該器件采用雙層源極場(chǎng)板和背面源結(jié)構(gòu)，利用半導(dǎo)體仿真軟件優(yōu)化設(shè)計(jì)器

2、件結(jié)構(gòu)和各區(qū)域雜質(zhì)注入劑量，使器件具有較好的直流特性和頻率特性，然后根據(jù)器件具體結(jié)構(gòu)繪制器件版圖，并在上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司完成器件的制造。對(duì)小柵寬器件的直流測(cè)試結(jié)果表明，器件擊穿電壓大于100V，飽和電流密度大于180μA/μm，閾值電壓約為2.2V，對(duì)大柵寬封裝器件的測(cè)試結(jié)果表明，在頻率為1090MHz、漏源電壓為50V的測(cè)試條件下，器件最大輸出功率達(dá)到500W，效率達(dá)到45％，增益達(dá)到18dB，達(dá)到了設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。