1、本文利用PECVD制備納晶硅薄膜，實驗選用10％的SiH4作為硅源，在普通玻璃襯底上沉積了硼摻雜硅薄膜。制備的工藝參數(shù)范圍如下，沉積溫度;350℃-550℃; SiH4氣體流量:10SCCM-50SCCM;射頻功率:60W-140W;本底真空度:7.5×10-4Pa;沉積氣壓:100Pa;沉積時間:30-60min。采用掃描電子顯微鏡(SEM)，X射線衍射儀(XRD)，四探針(Four-Probe)等手段研究了沉積溫度，射頻功率等參數(shù)對

2、硅薄膜的結構，電學性質的影響。結果表明:PECVD制備摻B硅薄膜時，隨著襯底溫度的增加，電阻率先降低后升高，在450℃～500℃的溫度范圍內有利于B元素摻入硅薄膜之中;摻B時不同射頻功率制備硅薄膜的電阻率，隨著入射功率的增加，電阻率先降低后升高，入射功率為100W與60W時比較下降一個數(shù)量級，由此說明，高于60W射頻功率時有利于B元素摻入硅薄膜之中。
　　運用CS350電化學工作站測量了硅薄膜的腐蝕過程，研究了硅薄膜制備參數(shù)如襯底