1、氧化鋅(ZnO)是一種典型的寬禁帶Ⅱ-Ⅵ族化合物，屬于直接帶隙半導(dǎo)體材料。在自然條件下，它以單一的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)穩(wěn)定存在，激子激活能60 meV，因而ZnO具有獨特的物理特性，是繼氮化鎵(GaN)后的另一種新型寬禁帶半導(dǎo)體材料。同時由于納米效應(yīng)，有了新的特性，例如優(yōu)異的場致發(fā)射、光催化、吸波、摻雜稀磁性及生物敏感性等。
　　本文利用管式燒結(jié)爐，采用低真空CVD法，在不同生長條件下，制備了形貌不同、質(zhì)量較高的ZnO納米結(jié)構(gòu)。實驗中先

2、后利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、光致熒光光譜(PL)等表征手段對制備的ZnO納米結(jié)構(gòu)的表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進行了相關(guān)測試與分析。主要包括下面三部分：⑴首先介紹了ZnO的物理性質(zhì)、性能及主要應(yīng)用;同時，對ZnO的生長機制、制備方法、以及表征手段進行了概述。⑵采用CVD法，結(jié)合我們的實驗設(shè)備，用高純ZnO粉末作為源，在低真空和無催化劑和載氣的情況下，由溫度梯度提供輸運動力，制備了ZnO納米結(jié)構(gòu);同時，從V-S

3、角度分析了生長機制。⑶最后研究了不同生長條件對ZnO納米結(jié)構(gòu)的影響。通過改變生長時間、襯底材料和生長溫度等條件，生長出了不同尺度、不同形貌的ZnO納米結(jié)構(gòu)，如納米帶、納米針及納米線/棒等。表征分析過程中發(fā)現(xiàn)，隨著沉積時間增長，納米線的直徑有所增大，同時沿著生長方向，直徑有減小的趨勢，但晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)特性沒有明顯改變;不同襯底上制備出的ZnO準納米結(jié)構(gòu)均具有較好的結(jié)晶質(zhì)量和發(fā)光特性，但表面形貌和結(jié)晶生長取向會受襯底的影響;不同生長溫度時，