1、聚酰亞胺（PI）是力學(xué)、熱學(xué)及電氣絕緣性能優(yōu)越的高分子材料之一，被廣泛的應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。然而，隨著科技的發(fā)展，這類高分子材料的要求也變得越來(lái)越高。純 PI已經(jīng)難以達(dá)到發(fā)展的要求，因此，以聚酰亞胺為基體的復(fù)合材料，已成為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的研究熱點(diǎn)。
　　本論文，用原位聚合方法分別制備了摻雜鈮酸鉀鈉（KNN）含量為0 wt％、5 wt％、10 wt％、15 wt％、20wt％的鈮酸鉀鈉/聚酰亞胺（KNN/PI）的復(fù)合薄膜。并對(duì)復(fù)合薄膜進(jìn)

2、行通過(guò) X射線衍射、掃描電子顯微鏡、介電測(cè)試分別對(duì)鈮酸鉀鈉/聚酰亞胺復(fù)合膜的結(jié)構(gòu)、形貌、介電性能進(jìn)行表征與分析。測(cè)試結(jié)果表明，KNN在PI的基體中分散均勻且穩(wěn)定，其聚酰亞胺薄膜的介電性能得到了顯著提高。鈮酸鉀鈉/聚酰亞胺復(fù)合膜的介電常數(shù)，隨著鈮酸鉀鈉粒子的增加而增大，當(dāng)鈮酸鉀鈉粒子質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20％時(shí)，其介電常數(shù)達(dá)到了4.9（100 Hz），其介電損耗角正切值小于0.025（100 Hz），顯示了良好的絕緣性能。
　　隨后對(duì)薄膜進(jìn)行

3、了電致發(fā)光實(shí)驗(yàn)（EL），實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明摻雜 KNN對(duì)薄膜的擊穿閥值影響較大，這是因?yàn)閾诫s后薄膜的缺陷增多使之變得較易擊穿。在300~350nm、450~500nm、550~600nm之間發(fā)現(xiàn)特征峰，發(fā)現(xiàn)摻雜鈮酸鉀鈉粒子后對(duì)分子間斷裂沒(méi)有產(chǎn)生影響，因此電致發(fā)光的光譜沒(méi)有明顯改變。
　　本文運(yùn)用了兩參數(shù) Weibull分布方法對(duì)聚酰亞胺薄膜擊穿場(chǎng)強(qiáng)的可靠性進(jìn)行了分析，并求其中值壽命和中值預(yù)擊穿場(chǎng)強(qiáng)，當(dāng) F(t)=0.5時(shí), t=164.