1、近年來，隨著便攜式電子產(chǎn)品和可穿戴式設備的快速發(fā)展，存儲器件也面臨著巨大的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的Flash技術正在接近其物理尺寸的極限，尋求下一代非易失性存儲器成為了時下研究的熱門方向。在研究的新型存儲技術中，阻性存儲器表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能：結構簡單、操作電壓低、寫入速度高、耐受性優(yōu)良、保持時間長、與標準CMOS工藝兼容等。目前研究出具有阻變特性的材料非常眾多，更有研究人員斷言所有材料都具有阻變特性。其中研究最廣泛的是過渡金屬氧化物材料，其組分容易控

2、制、制備工藝簡單且阻變機理相對清晰。
　　目前有關阻變器件中，絕大部分是對于制備工藝的總結、測試數(shù)據(jù)的分析和對阻變機理模型的構建，而對于阻變過程的模擬方面，較為全面的仿真模型比較少。這些關于仿真的論文中，大多數(shù)是通過純數(shù)學模型求解數(shù)學物理方程來模擬RRAM的I-V滯回曲線，只有少數(shù)是通過幾何建模展現(xiàn)了阻變過程。幾何建?？梢灾庇^反映動態(tài)阻變過程，對導電細絲理論的理解具有推動性。因此，貼近真實情況的仿真模型的作用非常關鍵。
　　

3、本文總結了目前已發(fā)表的論文模型，分析比較了其優(yōu)勢和劣勢后，提出了一種新型的阻變存儲器仿真模型。該模型采用典型的MIM結構，結合電流連續(xù)性方程、焦耳熱模型方程及氧空位遷移方程，詳細模擬了熱電耦合作用下氧空位導電細絲形成和斷裂的動態(tài)過程。
　　本文通過使用COMSOL多物理場耦合軟件，成功模擬了基于二元金屬氧化物的Pt/TiO2/TiN結構的RRAM。通過仿真阻變存儲器的set和reset過程，將電場和溫度作用下氧空位遷移運動過程清楚