![](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/020d24c5-ecaa-4bb8-bf45-924e977455cb/020d24c5-ecaa-4bb8-bf45-924e977455cbpic.jpg)
![基于雙金屬電極微腔結(jié)構(gòu)的綠光OLED器件制備及性能研究.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/020d24c5-ecaa-4bb8-bf45-924e977455cb/020d24c5-ecaa-4bb8-bf45-924e977455cb1.gif)
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-EmittingDevices,OLED)因?yàn)槠涞凸?、高亮度、快速響?yīng)時(shí)間、高對(duì)比度、自發(fā)光、超薄等優(yōu)點(diǎn),有望成為下一代主流的顯示器件。為了進(jìn)一步提高OLED的發(fā)光亮度、發(fā)光效率和發(fā)光顏色純度,可使用微腔結(jié)構(gòu)。本論文設(shè)計(jì)及制備了基于雙金屬電極微腔結(jié)構(gòu)的綠光OLED器件。其中工藝采用真空蒸鍍,器件的雙金屬電極為:Al/MoO3為器件的陽(yáng)極及空穴注入層,LiF/Al作為器件的陰極及電子注入層
2、。有機(jī)材料C545T作為綠光微腔器件的發(fā)光材料。
1、研究Al/MoO3的電學(xué)特性。當(dāng)Al的厚度在15~30nm時(shí),其既能滿足陽(yáng)極的電學(xué)特性,又能滿足微腔對(duì)前反射鏡的反射率的需求。為進(jìn)一步提高空穴注入能力,蒸鍍MoO3來(lái)修飾陽(yáng)極Al表面,從而能降低空穴注入能級(jí)勢(shì)壘。且制備了四組陽(yáng)極組合:Al(15nm)/MoO3(5nm),Al(20nm)/MoO3(4nm),Al(25nm)/MoO3(4nm)Al(30nm)/MoO3(3
3、nm)。
2、制備了基于四組陽(yáng)極的綠光微腔器件,其結(jié)構(gòu)為Al/MoO3/2T-NATA(10nm)/NPB/Alq3:C545T(4%,20nm)/Alq3(35 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)。改變每組NPB(±10nm)的厚度,研究了每組器件的光電特性,再對(duì)比每組最優(yōu)的器件。實(shí)驗(yàn)表明:當(dāng)Al(20nm)/MoO3(4nm)作為器件的陽(yáng)極時(shí),器件有最好的性能,其參數(shù)如下:在電流密度為100mA/cm2時(shí),亮
4、度和發(fā)光效率分別為5417cd/m2和5.1cd/A,最大發(fā)光亮度和電流效率分別為8063cd/m2和7.22cd/A;當(dāng)電壓為7V時(shí),器件的發(fā)光光譜波峰和半高寬為543nm和45nm。
3、為進(jìn)一步提高器件的性能,采用雙發(fā)光層制備了如下結(jié)構(gòu)的綠光器件:Al(20nm)/MoO3(4nm)/2T-NATA(10nm)/NPB(15nm)/NPB:C545T(x%,20nm)/Alq3:C545T(4%,20nm)/Bphen(
5、35 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm),其中x為摻雜濃度(質(zhì)量分?jǐn)?shù)比)。實(shí)驗(yàn)表明:當(dāng)摻雜濃度為3%時(shí),器件有最好的光電性能,記為器件B1。為分析微腔效應(yīng),制備了基于陽(yáng)極ITO的參考器件B2。首先,微腔器件因?yàn)槟苷庾V,從而能提高器件的發(fā)光顏色純度。如B1和B2色坐標(biāo)分別為(0.2889,0.6199)和(0.3168,0.5571),所以微腔器件的發(fā)光顏色更綠。然后,微腔器件因?yàn)槲⑶恍?yīng)能提高器件的正向發(fā)光亮度和發(fā)光效
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 準(zhǔn)晶結(jié)構(gòu)的透明復(fù)合金屬電極在柔性O(shè)LED器件的應(yīng)用研究.pdf
- ITO薄膜的低溫制備及OLED器件結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 納米半導(dǎo)體修飾金屬電極的制備、表征及其催化性能研究
- 雙金屬納米晶的制備及性能研究.pdf
- 雙發(fā)光層白光OLED器件制備及性能研究.pdf
- 基于納米材料的OLED器件透明柔性電極研究.pdf
- 納米半導(dǎo)體修飾金屬電極的制備、表征及其催化性能研究.pdf
- 場(chǎng)發(fā)射陰極OLED器件的結(jié)構(gòu)及性能研究.pdf
- 低壓高效OLED器件的制備與性能的研究.pdf
- LDMOS功率管金屬電極結(jié)構(gòu)及工藝設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
- 基于微納結(jié)構(gòu)與SAM修飾電極的OLED性能研究.pdf
- 陶瓷元件免燒型賤金屬電極制備技術(shù)研究.pdf
- 基于銜接層藍(lán)光OLED器件性能研究.pdf
- 二次電池鋰金屬電極及納米電池的研究.pdf
- 金銀雙金屬和大尺寸多孔金納米結(jié)構(gòu)的制備及性能研究.pdf
- 鎳鈷雙金屬硫化物復(fù)合電極的制備及其超級(jí)電容性能研究.pdf
- 雙金屬摻雜ZnO薄膜的制備及光電性能.pdf
- 納米線-金屬電極接觸的有限元研究.pdf
- 34574.離子液體金屬電極界面結(jié)構(gòu)的現(xiàn)場(chǎng)拉曼光譜研究
- 基于金屬電極的電工觸頭電阻釬焊工藝的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論