1、在信息科技不斷發(fā)展的今天，人們對(duì)高品質(zhì)顯示器的追求逐漸提高，而有機(jī)電致發(fā)光器件(OLEDs)的主動(dòng)發(fā)光，面板發(fā)光，視角廣，響應(yīng)時(shí)間短，發(fā)光效率高，色域?qū)?，工作電壓低，器件厚度薄，可制成彎曲面板，制作工藝相?duì)簡(jiǎn)單，成本低等特性，吸引了人們的廣泛關(guān)注和研究?？紤]到未來(lái)OLED的商品化應(yīng)用，需要保證器件具有較低的驅(qū)動(dòng)電壓，并在此基礎(chǔ)上能夠獲得較高的發(fā)光效率。因此，本論文從降低OLED器件電壓以及提高器件效率兩方面開(kāi)展了以下的研究工作。具體內(nèi)容

2、如下:
　　1、在空穴注入方面采用了P型摻雜方式，主要研究了摻雜空穴緩沖層F4-TCNQ∶Mo03優(yōu)化濃度和厚度下對(duì)空穴注入、傳輸?shù)淖饔?。從能?jí)角度，分析了P型摻雜空穴緩沖層，在減小空穴界面注入勢(shì)壘，利于空穴載流子的注入，降低器件驅(qū)動(dòng)電壓上的效力。通過(guò)薄膜表面形貌的測(cè)量，F(xiàn)4-TCNQ∶Mo03薄膜表面相對(duì)平整，更有助于空穴的注入。當(dāng)摻雜緩沖層的濃度為50％，厚度為2 nm時(shí)，最佳器件的發(fā)光效率得到很大提高，同時(shí)與對(duì)比器件相較，器

3、件的啟亮電壓和驅(qū)動(dòng)電壓（亮度為1000 cd/m2時(shí)）分別降低了1V和2.3 V。
　　2、在電子注入方面，應(yīng)用了高遷移率的C60作為電子傳輸層，分別與三種電子緩沖層Alq3、 Bphen和TPBi相結(jié)合的分層注入、傳輸結(jié)構(gòu)，并研究了該結(jié)構(gòu)對(duì)器件的電壓和效率等方面的影響。在高遷移率C60最優(yōu)厚度的基礎(chǔ)上分別對(duì)Alq3、Bphen和TPBi的電子緩沖層的厚度進(jìn)行了優(yōu)化，器件的發(fā)光性能有了提高。與不含電子緩沖層的器件相較，有C60/電

4、子緩沖層的結(jié)構(gòu)器件發(fā)光特性有了大的改善。說(shuō)明引入C60/緩沖層的結(jié)構(gòu)，可以讓器件在低電壓驅(qū)動(dòng)下有良好的電子注入能力，且使得器件中電子與空穴的注入、傳輸能力達(dá)到了平衡，有效地提高了激子的復(fù)合幾率，從而降低了效率的滾降，同時(shí)緩沖層的加入起到了對(duì)C60層的保護(hù)作用。
　　3、結(jié)合上述兩部分的工作，將P型摻雜緩沖層F4-TCNQ∶MoO3和分層注入的C60/Bphen組合到一起，制備了類(lèi)PIN結(jié)構(gòu)的OLED器件。當(dāng)發(fā)光材料為Alq3時(shí)，類(lèi)