1、碲化鉍是Ⅴ-Ⅵ族元素化合物半導(dǎo)體，因?yàn)槠淞己玫臒犭娦?yīng)而受到廣泛關(guān)注，更因其三維拓?fù)浣^緣體結(jié)構(gòu)而引發(fā)了新一輪的研究熱潮。由于三維拓?fù)浣^緣體的表面態(tài)中電子自旋-軌道耦合，這一特性使拓?fù)浣^緣體有望成為制備室溫下低能耗自旋電子器件的絕佳材料。低維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體由于具有更高的表體比，表面態(tài)處于主導(dǎo)地位，從而擁有更好的表面與界面效應(yīng)。目前，由于難以制備高質(zhì)量的碲化鉍一維納米結(jié)構(gòu)而限制了碲化鉍在實(shí)驗(yàn)領(lǐng)域的研究進(jìn)展。為此，本文就金催化化學(xué)氣相沉

2、積法制備碲化鉍納米線展開(kāi)研究，通過(guò)調(diào)控諸多宏觀實(shí)驗(yàn)條件摸索出了化學(xué)氣相沉積法制備碲化鉍納米線的最佳實(shí)驗(yàn)條件，并討論了金納米顆粒及各宏觀實(shí)驗(yàn)條件對(duì)碲化鉍納米線生長(zhǎng)的影響。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴利用熱蒸發(fā)鍍膜儀在<100>硅片表面鍍上3nm厚的金膜，以此為基底，將高純度的碲化鉍粉末作為蒸發(fā)源，以氬氣作為載氣進(jìn)行化學(xué)氣相沉積。在420℃的生長(zhǎng)溫度下，通以60 SCCM的Ar作為載氣，沉積生長(zhǎng)4.5 h，成功制備出純度高，結(jié)晶度好，

3、嚴(yán)格滿足化學(xué)計(jì)量比的碲化鉍納米線。⑵討論并分析了金納米顆粒以及載氣流量、反應(yīng)溫度和反應(yīng)時(shí)間等宏觀實(shí)驗(yàn)條件對(duì)碲化鉍納米線生長(zhǎng)的影響。主要結(jié)論如下：在沒(méi)有金納米顆粒催化的條件下所制備出的納米結(jié)構(gòu)均為Te的晶體，而在有金納米顆粒催化的條件下所制各出的納米結(jié)構(gòu)則為碲化鉍的晶體;(2)載氣流量主要影響碲化鉍納米線的最佳沉積區(qū)；反應(yīng)溫度主要通過(guò)影響納米線的生長(zhǎng)速度從而決定了納米線的生長(zhǎng)取向性;(4)反應(yīng)時(shí)間主要影響了納米線的縱向的生長(zhǎng)尺寸。在碲化鉍