脈沖開關(guān)器件RSD應用關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、反向開關(guān)晶體管RSD(Reversely Switched Dynistor)擁有無限串聯(lián)實現(xiàn)高電壓、承受很高的電流上升率(di/dt耐量理論上可達到100kA/μs)、高電流峰值等優(yōu)點。在脈沖功率技術(shù)領(lǐng)域中如:在高壓水槍碎石機中要求di/dt耐量為30kA/μs,脈沖電流高達250kA;而在高壓直流輸電領(lǐng)域中,如:特高壓智能避雷器中要求開關(guān)能承受高達87kA/μs,電流峰值為52.9kA;而在高壓直流斷路器中要求切斷110kV的電壓。

2、因此,在脈沖功率技術(shù)以及高壓直流輸電等領(lǐng)域有著很大的應用潛力。但是,要實現(xiàn)RSD全面積的開通,對于觸發(fā)電流要求比較苛刻。因此探索高效的觸發(fā)電路,是研究RSD應用的關(guān)鍵性問題。
  本文首先介紹了RSD的結(jié)構(gòu),討論了采用反向注入載流子的預充方式的RSD開通機理和正常開通所需預充電荷量。在此基礎(chǔ)上,利用正向晶閘管與反并聯(lián)二極管模型建立了RSD的電路級模型。接著介紹了磁開關(guān)的工作原理,利用磁開關(guān)飽和前后電感值的突變的現(xiàn)象并建立了電路級模

3、型,然后設(shè)計了磁開關(guān)動態(tài)參數(shù)平臺。隨后對RSD的常用觸發(fā)電路(諧振觸發(fā))研究,提出基于RSD的電路級模型和RLC二階電路模型的物理模型,來研究RSD諧振觸發(fā)電路的預充電流的方法,并發(fā)現(xiàn)減小預充電感能增大預充電流的幅值有助于RSD預充效率的提高,然后用計算機仿真和實驗驗證了這個上訴結(jié)論的正確性。
  最后基于RSD的開通機理以及諧振觸發(fā)電路的研究結(jié)果,本文提出了三種改善RSD預充的方法,并設(shè)計了對應的高效觸發(fā)電路以及電路的輔助系統(tǒng)—

4、全橋觸發(fā)、強脈沖觸發(fā)、兩步法觸發(fā)。例如:相對于諧振觸發(fā)方式,全橋觸發(fā)方式利用開關(guān)橋替代諧振觸發(fā)方式中的電感換流,能有效抑制觸發(fā)電路中的電流振蕩現(xiàn)象,提升電流幅值,最終達到增加預充電荷量的目的,從而提升了觸發(fā)電路的效率。而強脈沖觸發(fā)方式,在增大預充電流幅值的同時減小了預充時間,從而減小了電荷在期間內(nèi)的復合損失,帶來觸發(fā)效率的提高。最后兩步法觸發(fā)能減小漂移場對RSD的預充影響,提升RSD的有效等離子體的積累,最終達到提升預充效率的目的。實驗

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