1、本文針對(duì)物理氣相輸運(yùn)方法（PVT）制備SiC單晶以及機(jī)械合金化結(jié)合等離子體燒結(jié)（MA-PAS）的方法制備摻入S元素的Bi2Te3-基熱電材料這兩個(gè)比較典型的大塊狀半導(dǎo)體材料的制備過(guò)程分別進(jìn)行了數(shù)值模擬與實(shí)驗(yàn)研究。
　　作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，SiC由于其優(yōu)良的理化性質(zhì)而被廣泛運(yùn)用在高溫度、強(qiáng)輻射、高電壓、高電流密度的極端條件下的半導(dǎo)體器件中。PVT法是生產(chǎn)大塊狀 SiC單晶最常用的一種方法，因?yàn)樵?PVT生長(zhǎng) SiC單晶的

2、過(guò)程中，裝置是完全封閉的，我們很難實(shí)時(shí)的檢測(cè)生長(zhǎng)腔內(nèi)的溫度，物質(zhì)濃度等相關(guān)物理量的變化，所以有必要運(yùn)用數(shù)值模擬的方法來(lái)對(duì)該過(guò)程預(yù)先做出數(shù)值模擬研究以指導(dǎo)實(shí)際的生產(chǎn)過(guò)程。通過(guò)研究我們發(fā)現(xiàn)生長(zhǎng)腔內(nèi)軸向上的溫度梯度、操作壓力、籽晶表面溫度等工藝參數(shù)對(duì)于晶體生長(zhǎng)速率具有重要的影響，具體說(shuō)來(lái)，隨著生長(zhǎng)腔內(nèi)溫度梯度的增加，壓力的降低或者是生長(zhǎng)溫度的升高，SiC的晶體生長(zhǎng)速度加快。
　　Bi2Te3系熱電材料因其在室溫下良好的熱電性能而被廣泛運(yùn)