1、本文對通信光電子半導(dǎo)體材料異質(zhì)兼容的理論與實驗進行了研究。主要內(nèi)容及結(jié)果如下： 1.計算了BP、BAs、BSb的能帶結(jié)構(gòu)，得到了它們高對稱點(Г，L，X)的能隙，并通過與實驗值的比較，預(yù)測了它們的能隙計算偏差，為推導(dǎo)含B三元系的實際能帶結(jié)構(gòu)打下了基礎(chǔ)。 2.計算了三元系B<,x>Ga<,1-x>As和B<,x>Ga<,1-x>Sb在B小含量范圍(0％-18.75％)內(nèi)的電子性質(zhì)。 3.計算了十種含BZ元系的直接接

2、躍遷(X<,1-c>-Г<,15v>)能隙彎曲參數(shù)，在此基礎(chǔ)上，分析TBGaAsSb、BGalnAs等6種四元系與GaAs晶格匹配時的能帶結(jié)構(gòu)。 4.通過插入InP/Ga<,0.1>In<,0.9>P應(yīng)變層超晶格(SLS)，進一步提高了采用低溫緩沖層法生長的InP/GaAs(100)外延層晶體質(zhì)量。 5.采用低溫緩沖層法并輔助SLS，在GaAs(100)襯底上生長10周期的InP/In<,0.53>Ga<,0.47>As

3、量子阱(MQW)。 6.在低溫緩沖層法生長的InP/GaAs(100)異質(zhì)外延層上制備InGaAs/InP PIN探測器，其吸收層為300nm，臺面面積為50μm×50μm時，在1550nm波長處器件的響應(yīng)度為0.12A/W，對應(yīng)的外量子效率為9.6％，3dB帶寬達到了6GHz。 7.通過優(yōu)化低溫GaAs緩沖層的生長條件，在Si襯底上生長GaAs外延層。對于無偏角Si襯底上生長的1.8μm厚的GaAs外延層，其XRD(4