1、ZnO由于較寬的帶隙(3.37 eV)和室溫下高的激子束縛能(60 meV)，使其具有獨特的光學、電學和光電轉換等特性，ZnO及其相關一維納米結構在納米器件的制作中具有十分重要的應用，尤其在光電器件領域應用廣泛。本文利用化學氣相沉積法制備納米線，采用微柵模板法制作微電極，研究了單根 ZnO、In摻雜 ZnO及ZnSxSe1-x納米線的光電性質。單根ZnO及其相關一維納米結構的電學性質及微電極的研究，將為光電器件的微型化奠定實驗基礎。

2、r>　　利用化學氣相沉積法制備了ZnO、In摻雜ZnO及ZnSxSe1-x納米線。采用成本低廉、操作簡單的微柵模板法制作單根ZnO納米線歐姆接觸的微電極、單根In摻雜ZnO納米線肖特基接觸的微電極。選用325 nm的He-Cd激光器做為光源，進一步探究了單根In摻雜ZnO納米線的光響應特性。實驗發(fā)現(xiàn)：紫外光輻照可使金屬電極與納米線之間的有效肖特基接觸勢壘下降，使接觸類型由肖特基接觸轉變到歐姆接觸；撤去紫外光后，電極與納米線之間的接觸可以

3、恢復到未光照時的肖特基接觸。討論了肖特基接觸與歐姆接觸之間轉變的物理機制。
　　為了進一步探究納米材料的光電特性，應用微柵模板法制作單根 x=0.28，x=0.46，x=0.66的ZnSxSe1-x納米線的微電極。選用325 nm的He-Cd激光器做為光源，進一步探究了x=0.46、x=0.66時，單根ZnSxSe1-x納米線器件的光響應特性。實驗結果表明，x=0.66的ZnSxSe1-x納米線對紫外光較為敏感，當源漏電壓為1V時