1、近年來，隨著MEMS技術(shù)和半導(dǎo)體技術(shù)的進步，電子器件正向著高集成度、低功耗和高速度方面發(fā)展。聲表面波器件(Surface acoustic wave，SAW)所使用的材料對器件的性能起著決定性的作用，本文對器件的材料石英和LiNbO3分別和Si進行了鍵合技術(shù)研究，為了制作器件對鍵合片進行了減薄拋光，設(shè)計了簡單的器件并用COMSOL和MATLAB對器件的性能進行了仿真、后續(xù)研究了器件的光刻技術(shù)。從本文的研究內(nèi)容得到以下結(jié)論:
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2、通過選擇一定波段的紫外固化膠，并在300-436nm曝光波長的曝光機下曝光，制得了8mm×8mm鍵合片。分別實現(xiàn)了LiNbO3以及石英和硅片的鍵合，用剪切力測試機測得最大鍵剪切力分別為116.2N和117.9N。用裂紋傳播測試法測試LiNbO3鍵合片的鍵合能為5.831 J/m2。鍵合片的中間鍵合層厚度為約3μm。
　　②在聲表面波器件的設(shè)計中，根據(jù)δ函數(shù)模型的理論分析結(jié)合本實驗對叉指換能器的參數(shù)進行了設(shè)計，設(shè)計出線寬2.495μ

3、m的延遲器和線寬2μm的諧振器，后根據(jù)設(shè)計的結(jié)果用L-edit畫出版圖，制得本實驗所需要的掩膜板。
　?、塾糜邢拊抡孳浖﨏OMSOL對設(shè)計的器件進行建立模型，分析了器件的波傳播特性。在MATLAB上以LiNbO3為基底，用P矩陣和COM耦合模型對聲表面波諧振器電學(xué)諧振特性的插入損耗和諧振導(dǎo)納進行了仿真研究。
　　④用設(shè)計制得的掩膜板做掩膜，在制得的鍵合片上經(jīng)過涂膠、前烘、曝光、顯影四個部分制得了光刻形貌較好的樣品。經(jīng)過試驗