1、氧化鎳(NiO)薄膜材料是一種重要的寬禁帶半導體功能材料，其以優(yōu)異的物理、化學、光學、電學、磁學等特性，具有重要的應用前景和價值，因此得到了比較廣泛的研究。其中NiO與氮化鎵(GaN)組成的“GaN/NiO異質(zhì)結”具有成本低廉的優(yōu)勢，因而引起人們的關注。
　　首先，本文采用JGP-450A型三靶磁控濺射系統(tǒng)在玻璃襯底上成功制備了NiO薄膜，較為深入地研究了沉積氣壓、O2/Ar流量比、濺射功率對NiO薄膜結構、光學等性質(zhì)的影響。并采

2、用3D表面輪廓儀、X射線衍射儀(XRD)、紫外-可見光分光光度計(UV-VIS)、掃描電子顯微鏡(SEM)等分析手段對NiO薄膜的厚度、結構、光學、化學組分及表面形貌進行測試和表征，為NiO薄膜材料的研究和開發(fā)提供一些借鑒和啟發(fā)。通過實驗結果可知:在4.5Pa的濺射氣壓，O2流量為10sccm，Ar流量為20sccm以及濺射功率為160W的條件下，制備得到的NiO薄膜的質(zhì)量較好，為NiO(200)擇優(yōu)取向生長。
　　然后在前面制備

3、NiO薄膜的基礎上，以NiO為襯底，采用電子回旋共振-等離子體增強金屬有機物化學氣相沉積(ECR-PEMOCVD)低溫生長方法制備高質(zhì)量GaN薄膜，并重點研究三甲基鎵(TMGa)流量對GaN薄膜生長層質(zhì)量的影響，結果發(fā)現(xiàn)NiO襯底上生長的GaN對TMGa流量改變非常敏感，在TMGa為0.8sccm時，可制備出c軸擇優(yōu)取向GaN薄膜，且其結晶質(zhì)量、光學性能以及表面形貌較好。由于采用了GaN緩沖層，其背景電子濃度較高而引起異質(zhì)結界面的隧穿效