1、SnO2作為一種n型的氧化物半導(dǎo)體材料被廣泛的應(yīng)用到氣體傳感器、透明電極、可充鋰電池、催化劑、太陽(yáng)能電池等許多領(lǐng)域當(dāng)中,許多年來(lái)都受到了研究者們的青睞。近些年來(lái)隨著科技的進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,對(duì)傳統(tǒng)SnO2材料的理化性能又提出了更高的要求,如何更大的發(fā)揮SnO2潛在的優(yōu)越性能成為了研究重點(diǎn)。有研究表明具有特定納米形貌結(jié)構(gòu)的SnO2半導(dǎo)體材料可以更高效的發(fā)揮其潛在上的性能和應(yīng)用,如氣敏性、催化性等。因此對(duì)SnO2納米形貌結(jié)構(gòu)可控合成與制備的研

2、究具有很大的理論和現(xiàn)實(shí)意義。
　　本文首先研究了SnO2納米形貌結(jié)構(gòu)可控的水熱制備,采用PEG400、Zn2+、CTAB為結(jié)構(gòu)指示劑參與SnO2納米形貌結(jié)構(gòu)的水熱制備過(guò)程、探索水熱制備工藝條件、制定實(shí)驗(yàn)研究方案并進(jìn)行了SnO2納米形貌可控制備的模型和機(jī)理研究。其次,本文研究了雙通多孔氧化鋁AAM模板法的SnO2納米線制備,先進(jìn)行了AAM模板制備的工藝探索,找出了最佳工藝下的AAM作為合成SnO2納米線的模板,采用Sn(OH)4溶膠

3、凝膠法和浸滲沉積法在AAM中沉積Sn(OH)4凝膠納米線,經(jīng)過(guò)后續(xù)的熱處理后得到了基于AAM上的SnO2納米線陣列,并對(duì)所得SnO2納米的進(jìn)行形貌與結(jié)構(gòu)表征。
　　在水熱制備過(guò)程中,PEG400參與的條件下,當(dāng)MSnCl4:MNaOH=1:6時(shí),得到了直徑分布在2~5μm之間的SnO2納米空心球結(jié)構(gòu),當(dāng)MSnCl4:MNaOH=1:7時(shí),得到了層厚約為200nm的SnO2納米片層結(jié)構(gòu),當(dāng)MSnCl4:MNaOH=1:8時(shí),得到了由

4、約為200nm長(zhǎng)的納米棒組成的SnO2納米花球結(jié)構(gòu)。在Zn2+摻雜的條件下,當(dāng)MSnCl4:MNaOH=1:6時(shí),得到了由納米粒組成的直徑約為150nm納米團(tuán)結(jié)構(gòu)。當(dāng)MSnCl4:MNaOH=1:8時(shí),得到了直徑約為800nm的SnO2的花狀結(jié)構(gòu)。當(dāng)MSnCl4:MNaOH=1:9.6時(shí),SnO2納米花的直徑約為1.2μm左右。當(dāng)MSnCl4:MNaOH=1:12時(shí),產(chǎn)物中存在了ZnSn(OH)6相。在CTAB摻雜條件下,得到了由SnO