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1、溶液法制備氧化物薄膜晶體管用介質(zhì)層和溝道層的研究StudyonSolutionProcessedDielectricandChannelLayerfortheOxideThinFilmrn‘lranSlStor作者：龐抒見指導(dǎo)老師：張群教授指導(dǎo)小組：李越生教授沈杰副教授硬士學位論文目錄復(fù)旦大學摘季目錄l愀磐必1p，摘要I夤97，蔓蔓I11引言112薄膜晶體管的發(fā)展及應(yīng)用11_3薄膜晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理414硅基薄膜晶體管915氧化
2、物薄膜晶體管研究現(xiàn)狀綜述10151國內(nèi)外研究的現(xiàn)狀10152薄膜晶體管介質(zhì)層材料13153電極材料1716本論文的研究意義和研究內(nèi)容18第二章=；|#晶氧化物薄膜晶體管的制備與表征方法20211直流反應(yīng)磁控濺射制備鋁柵電極20212溶膠凝膠法原理2l213旋涂法制備介質(zhì)層與溝道層23214真空熱蒸發(fā)法制備鋁源漏電極23215脈沖等離子體沉積技術(shù)制備IWO電極2522氧化物薄膜晶體管的表征方法26221薄膜厚度以及表面形貌的測試26222
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