1、氮化鎵（GaN）作為近些年來迅猛發(fā)展起來的第三代半導體材料之一，同前兩代半導體材料硅(Si)與砷化鎵（GaAs）相比，GaN具有禁帶寬、電子飽和率高、電子遷移率高、擊穿電壓高、導熱性好、穩(wěn)定性好等眾多優(yōu)點。以GaN材料為襯底的GaN高電子遷移率場效應管（HEMT）具有工作頻率高、輸出功率密度高、抗輻射能力強、耐高溫等特點，在微波通信，雷達系統(tǒng)，LED器件、大功率器件方面有廣闊的應用前景。但由于GaN HEMT的高頻特性以及自熱效應等，傳

2、統(tǒng)的FET模型無法準確模擬其特性，因此建立一個準確的GaN HEMT模型是極其重要的。本文重點研究了GaN HEMT功率器件的建模建庫技術。
　　首先，本文在傳統(tǒng)的 FET小信號等效電路模型基礎上，結合高頻下 GaN HEMT的電容分布效應，在傳統(tǒng)的等效電路模型上加入三個寄生電容表示柵、源、漏級之間的極間串擾。采用直接提取法提取小信號等效電路初值，再利用全頻段數值優(yōu)化得到小信號等效電路所有值。改進的小信號等效電路模型在不同偏置下，

3、1-20GHz內與實測結果對比S參數幅度相對誤差小于5％，相位絕對誤差小于5°，改進的模型有較高的準確性，是大信號等效電路模型的建立的重要基礎。
　　接著，本文從GaN HEMT傳統(tǒng)的Angelov非線性漏源電流(Ids)模型基礎上出發(fā)，結合其顯著的自熱特性，增加表示器件自熱效應的熱電路，引入溫度項改進輸出特性，使Ids模型與實測結果擬合良好。并在傳統(tǒng)的Angelov非線性電容模型上進行改進，建立柵源、柵漏電容的表達式，從而確定完