1、隨著CMOS工藝進入10nm制程，摩爾定律能否維持下去一直備受爭議。人們一直在探索新的材料，GaN作為第三代半導體材料，其寬禁帶、高擊穿電壓、高電子遷移率的特性，一直備受青睞，可以應用在各個領域，如雷達、衛(wèi)星和基站等。GaN器件雖然性能優(yōu)越，但是其電氣特性復雜，會降低電路的設計效率，無法充分發(fā)揮器件的性能。所以一個可以準確預測其輸出電特性的大信號模型，對提高GaN器件設計效率至關重要。本文將對GaN器件建模中的I-V關系和陷阱效應等關鍵

2、問題進行研究，通過理論分析并給出相應的測試驗證結(jié)果。
　　本文分析了I-V模型選擇和建立的過程，同時通過分析各模型參數(shù)隨外部偏置電壓的變化關系，發(fā)現(xiàn)原有的Angelov模型不能很好的擬合測試數(shù)據(jù)。本文在原有的Angelov模型的基礎上，修改其中Ψ、α、Vpkm等參數(shù)，提出了新的I-V函數(shù)關系，并通過測試結(jié)果驗證其準確性。為了正確描述GaN器件的輸出電流，對陷阱效應進行建模至關重要?，F(xiàn)有的陷阱效應模型，常描述陷阱效應導致的部分電特性