1、LaNiO3薄膜不僅具有良好的導(dǎo)電性能，而且與PZT等鐵電材料具有相近的晶體結(jié)構(gòu)和熱膨脹系數(shù)，因而被認(rèn)為是理想的鐵電電極材料。在具有晶體取向性的LaNiO3薄膜襯底上制備PZT等鐵電薄膜，還有可能獲得c軸取向的鐵電薄膜（如PZT、BST等），從而提高鐵電薄膜的極化性能。該研究擬采用溶膠-凝膠法制備LaNiO3薄膜，研究其取向性生長方法及導(dǎo)電性能。進(jìn)而將其作為底電極和模板，探討在其上外延生長PZT鐵電薄膜的可行性及其對鐵電性能的影響。

2、r>　　首先，通過添加化學(xué)絡(luò)合劑丙烯酸將硝酸鑭、醋酸鎳溶解于乙二醇甲醚中合成了性能穩(wěn)定的LaNiO3溶膠。研究了熱處理工藝參數(shù)對LaNiO3薄膜微觀結(jié)構(gòu)和性能的影響，在最佳熱處理參數(shù)條件下，即經(jīng)400℃熱分解30min，再經(jīng)750℃純氧氣氛下晶化處理60min制備出的LaNiO3薄膜，具有良好的導(dǎo)電性能，其室溫電阻率為8.7×10-4Ω·cm。
　　其次，研究了單晶硅襯底上取向性LaNiO3薄膜的制備方法，并探討了取向性LaNiO

3、3薄膜生長的潛在機(jī)制。結(jié)果表明，采用快速熱處理的方法可在單晶硅襯底上制備出高度(100)取向生長的LaNiO3薄膜，其(100)擇優(yōu)取向度高達(dá)96％; LaNiO3薄膜的擇優(yōu)生長與單晶硅襯底的晶向沒有關(guān)系，而與由快速升溫引起的外來應(yīng)力有關(guān)，這種外來應(yīng)力為(100)取向晶粒的形核生長提供了有利條件。
　　以AcAcH、BzAcH為化學(xué)修飾劑合成出了具有紫外感光特性的Ni/AcAcH、Ni/BzAcH金屬螯合物結(jié)構(gòu)。以這種感光的螯合物

4、為前驅(qū)體制備的LaNiO3薄膜具有紫外感光性，利用這一特可以獲得與掩模負(fù)像一致的LaNiO3導(dǎo)電薄膜的微細(xì)圖形。
　　進(jìn)一步，采用溶膠-凝膠法在LaNiO3薄膜電極上制備PZT鐵電薄膜，并研究了不同取向的LaNiO3薄膜對PZT鐵電薄膜生長取向和極化性能的影響。結(jié)果表明，LaNiO3薄膜的晶粒取向?qū)ZT薄膜形核生長具有一定的誘導(dǎo)作用，在高度(100)取向的LaNiO3薄膜上可制備出(001)擇優(yōu)取向度高達(dá)96.7％的PZT薄膜，