1、透明導電氧化物薄膜具有較高的可見光透過率及良好的導電性，因而廣泛應用于傳感器、平板顯示器、太陽能電池等領域。目前，應用較多的是銦錫氧化物薄膜(ITO)及氧化鋅(ZnO)薄膜，這是由于ITO薄膜透過率高、電阻率低、功函數(shù)高;ZnO薄膜價格便宜，沉積溫度相對較低和在氫氣氣氛下具有更好的穩(wěn)定性等優(yōu)點。但是，傳統(tǒng)透明導電薄膜由于帶隙寬度的限制，其難以透過波長小于350 nm的紫外光。同時，材料的禁帶寬度越大，將其摻雜成為導電材料的困難也越大，所

2、以具有優(yōu)良導電特性的單層深紫外透明導電薄膜也較難制備。近年來，金屬材料與寬禁帶半導體材料所組成的“三明治型”多層結構獲得了廣泛關注，成為紫外透明導電薄膜研究領域的新熱點。
　　本論文綜合論述了透明導電薄膜的研究進展及應用前景，利用磁控濺射技術制備了Ag薄膜、鎵砷氧化物薄膜以及二者構成的多層結構紫外透明導電薄膜。通過調整Ag薄膜與鎵砷氧化物薄膜的厚度，以及對Ag膜進行退火處理，采用X射線衍射儀、金相顯微鏡、紫外-可見分光光度計、霍爾

3、測試儀對Ag薄膜、鎵砷氧化物薄膜以及多層結構的各方面性質進行了分析和討論。主要工作如下:
　　1.Ag薄膜的制備與優(yōu)化。實驗采用射頻磁控濺射技術制備了不同厚度的Ag薄膜，研究了厚度對Ag薄膜結構形貌及光電性質的影響，確定最佳的厚度參數(shù)。此外還研究了退火處理對Ag薄膜光學和電學特性的影響。
　　2.鎵砷氧化物的制備與優(yōu)化。采用射頻磁控濺射技術在c面藍寶石襯底上制備了不同厚度的鎵砷氧化物薄膜，研究了厚度對薄膜光電性質的影響，確定

4、性能最優(yōu)的厚度參數(shù)。
　　3.鎵砷氧化物-Ag-鎵砷氧化物多層結構紫外透明導電膜的制備與表征。結合前面的研究結果，利用優(yōu)化參數(shù)制備了鎵砷氧化物-Ag-鎵砷氧化物多層結構，并分析了多層膜的光電性質。此外還研究了Ag層退火對多層結構的光學和電學特性的影響。
　　實驗結果表明:濺射生長的Ag薄膜具有(111)取向;單層Ag膜為12nm時，薄膜兼具良好的透過性和導電性，退火后Ag膜晶粒稍有變大，其光電性質略有提高。實驗中所制備的單層