1、透明導(dǎo)電薄膜是一種高透光率、高導(dǎo)電率的特殊材料，在平面顯示、太陽能電池、觸摸屏、特殊功能窗口涂層及其它光電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。隨著科技的進(jìn)步和人們生活水平的提高，對透明導(dǎo)電薄膜光電性能的要求也與日俱增。本課題組在前人研究的基礎(chǔ)上進(jìn)一步探究了如何降低材料電阻率。主要工作內(nèi)容如下:
　　 1.通過固相燒結(jié)法自制陶瓷靶材:由于我們采用的是脈沖激光沉積法(PLD)制備薄膜，這要求我們先將原料制成固體塊狀靶材，而且PLD法所制備薄膜

2、的成分與靶材成分基本一致，所以對靶材電學(xué)性能的研究就有了一定的價(jià)值。以摻鍺氧化銦靶材的制備為例介紹了靶材制備的過程。研究了燒結(jié)溫度及原料配比對靶材電學(xué)性能和晶體結(jié)構(gòu)的影響，找出了不同靶材的最佳燒結(jié)溫度及最佳配比，并成功制備出了性能優(yōu)良的ITO∶Mo、InSnNbMo及摻鍺氧化銦等靶材。
　　 2.利用自制的ITO∶Mo靶材通過PLD法成功制備了高性能的透明導(dǎo)電薄膜。研究了襯底溫度對所生長出薄膜光電性能及晶體結(jié)構(gòu)方面的影響，最終得

3、出在500℃下所生長ITO∶Mo薄膜的綜合性能最佳，該薄膜能在保證可見光透過率大于90％的情況下將電阻率降至2.611×10-4Ω·cm。
　　 3.研究了薄膜厚度對所生長ITO∶Mo薄膜的透光率和導(dǎo)電率的影響。并得出結(jié)論:當(dāng)薄膜厚度較低時(shí)，界面散射對材料電阻率的影響很大，但當(dāng)薄膜厚度較大時(shí)薄膜厚度不再是影響薄膜電阻率主要因素。而ITO∶Mo薄膜的吸收系數(shù)α較小，薄膜厚度不大時(shí)均能滿足透明導(dǎo)電薄膜的要求。最后得出適合ITO∶Mo