微電子器件界面結(jié)構(gòu)傳熱與力學(xué)行為多尺度研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩133頁(yè)未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、目前,微電子元器件已被廣泛地應(yīng)用在航空航天、軍事及民用電子產(chǎn)品中。隨著微電子設(shè)計(jì)制造技術(shù)的發(fā)展,微電子器件不斷地向高密度、微型化、功能化方向發(fā)展,器件內(nèi)部的結(jié)構(gòu)也越來(lái)越復(fù)雜,界面結(jié)構(gòu)及非連續(xù)性結(jié)構(gòu)也越來(lái)越多。大量的研究表明界面結(jié)構(gòu)是影響器件乃至整個(gè)系統(tǒng)正常工作的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)之一,超過(guò)90%的破壞和缺陷都首先出現(xiàn)在界面處。因此,對(duì)界面結(jié)構(gòu)的傳熱及力學(xué)特性進(jìn)行研究將具有重要意義,但是隨著制造工藝的發(fā)展,由界面結(jié)構(gòu)的納米級(jí)尺寸使得傳統(tǒng)的建模及分析

2、手段已經(jīng)不再適應(yīng),如何兼顧不同尺度下不同分析方法的優(yōu)勢(shì),構(gòu)建一種多尺度分析方法對(duì)界面結(jié)構(gòu)的微尺度傳熱及界面力學(xué)特性進(jìn)行研究是解決此問(wèn)題的有效途徑之一。
   本文針對(duì)微電子制造過(guò)程中的界面結(jié)構(gòu)的微尺度傳熱及力學(xué)特性進(jìn)行了多尺度研究。一方面,從不同尺度下的分析方法入手,構(gòu)建了基于分子動(dòng)力學(xué)(MolecularDynamic,MD)-界面元(InterfaceStressElement,ISE)-有限元(FiniteElement,

3、FE)的多尺度模型及分析方法,并對(duì)一維力學(xué)及傳熱進(jìn)行數(shù)值分析;另一方面,利用實(shí)驗(yàn)手段對(duì)界面結(jié)構(gòu)的傳熱及力學(xué)特性進(jìn)行研究。首先,利用磁控濺射技術(shù)制備不同材料構(gòu)成的界面結(jié)構(gòu),分析制備工藝參數(shù)及制備方法對(duì)薄膜生長(zhǎng)速率的影響;然后,基于瞬態(tài)熱反射法及納米壓痕技術(shù)分別對(duì)界面結(jié)構(gòu)的熱特性及力學(xué)特性進(jìn)行系統(tǒng)的研究。
   首先,設(shè)計(jì)不同尺度下的耦合握手區(qū)(Handshake,HS),將不同尺度下的分析方法進(jìn)行耦合,構(gòu)建界面結(jié)構(gòu)的MD-ISE-

4、FE多尺度分析模型,提出了一種基于MD-ISE-FE的微觀-宏觀多尺度分析方法。在原子與微觀尺度,通過(guò)設(shè)計(jì)MD-ISE握手區(qū),將該區(qū)域的原子與界面元耦合在一起;同時(shí)在微觀與宏觀尺度下,通過(guò)本構(gòu)方程將界面元與有限元直接耦合在一起?;谠撃P蛯?duì)不同材料界面結(jié)構(gòu)進(jìn)行了一維傳熱及力學(xué)特性的數(shù)值研究,研究結(jié)果表明:由相同材料或者熱力學(xué)特性相近材料構(gòu)成的界面結(jié)構(gòu)具有更好的界面?zhèn)鳠峒傲W(xué)特性。
   其次,針對(duì)擴(kuò)散界面結(jié)構(gòu),在不同溫度下研究了

5、其微尺度傳熱及力學(xué)特性。一方面,在微觀尺度下,界面的擴(kuò)散厚度隨溫度的增加而逐漸增加(溫度為300K時(shí),界面的擴(kuò)散厚度占界面厚度的5.19%)。根據(jù)現(xiàn)有結(jié)論可知:隨著溫度的增加,界面熱導(dǎo)率會(huì)由于聲子散射加劇而降低;但是本文研究結(jié)果發(fā)現(xiàn):隨著溫度的增加,界面聲子散射越來(lái)越嚴(yán)重,界面聲子匹配度及聲子傳熱速率降低;而界面熱導(dǎo)率卻呈現(xiàn)出先增加后減小去趨勢(shì)。分別利用MD及MD-TTM(Two-TemperatureMode1)模型從聲子及電子的角度

6、對(duì)界面熱導(dǎo)率進(jìn)行了研究。研究發(fā)現(xiàn):隨著溫度的增加(≤界面材料的再結(jié)晶溫度),界面電子傳熱提高了界面結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率。研究證明了金屬界面結(jié)構(gòu)微尺度傳熱是由聲子及電子共同耦合作用的結(jié)果,且發(fā)現(xiàn)界面電子傳熱相對(duì)于界面聲子占主導(dǎo)地位。另一方面,對(duì)不同材料界面結(jié)構(gòu)的力學(xué)特性進(jìn)行研究,通過(guò)對(duì)材料界面結(jié)構(gòu)微觀拉伸實(shí)驗(yàn),研究了其應(yīng)力應(yīng)變特性。研究結(jié)果發(fā)現(xiàn):擴(kuò)散界面的應(yīng)力應(yīng)變曲線比理想不同材料界面的更加平緩;由相同材料構(gòu)成的界面結(jié)合力及結(jié)合特性高于由不同材料

7、構(gòu)成的界面;界面金屬擴(kuò)散對(duì)界面結(jié)合力有一定的削弱作用,主要由于不同材料界面中產(chǎn)生金屬間化合物的脆性所致,這也是引起界面處裂紋萌生及擴(kuò)散的主要原因之一。
   最后,利用磁控濺射技術(shù)、瞬態(tài)熱反射法及納米壓痕技術(shù),從實(shí)驗(yàn)的角度對(duì)界面結(jié)構(gòu)的制備、傳熱及力學(xué)特性進(jìn)行了研究。一方面,研究了不同功率及不同制備方法下的直流濺射速率。研究發(fā)現(xiàn):直流濺射時(shí)薄膜的生長(zhǎng)速率為射頻濺射薄膜生長(zhǎng)速率的近10倍,界面熱導(dǎo)率隨著厚度的增加而增加。另一方面,利

8、用3ω瞬態(tài)熱反射法對(duì)薄膜界面的傳熱參數(shù)進(jìn)行提取及表征;同時(shí)利納米壓痕技術(shù)對(duì)界面結(jié)構(gòu)的力學(xué)特性進(jìn)行實(shí)驗(yàn)表征。研究發(fā)現(xiàn):隨界面結(jié)構(gòu)厚度的增加熱導(dǎo)率增加;隨著壓入深度的增加,界面的彈性模量與硬度基本呈現(xiàn)出下降的趨勢(shì)。這與樣品在制備過(guò)程的生長(zhǎng)機(jī)理有關(guān),在磁控濺射生長(zhǎng)薄膜時(shí),是從無(wú)到有,從薄到厚,先進(jìn)行隨機(jī)堆積,然后再進(jìn)行有序成核生長(zhǎng)并形成晶體結(jié)構(gòu)。最開始生長(zhǎng)的薄膜中間晶核及晶體結(jié)構(gòu)較少、材料缺陷率大以及密度低等原因,從而導(dǎo)致了界面熱導(dǎo)率隨厚度增

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論